Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
Продемонстрирована возможность создания различных типов датчиков давления на низкоразмерных структурах. Предложены принципиально новые пути расширения динамического диапазона и линейности нагрузочных характеристик высокочувствительных датчиков, базирующиеся на создании либо набора квантовых точек ра...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70806 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления / И.Е. Марончук, А.Д. Кучерук, С.Ю. Ерохин, И.В. Чорный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 38-43. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70806 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-708062014-11-14T03:01:44Z Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления Марончук, И.Е. Кучерук, А.Д. Ерохин, С.Ю. Чорный, И.В. Сенсоэлектроника Продемонстрирована возможность создания различных типов датчиков давления на низкоразмерных структурах. Предложены принципиально новые пути расширения динамического диапазона и линейности нагрузочных характеристик высокочувствительных датчиков, базирующиеся на создании либо набора квантовых точек различных размеров, либо градиента ширины квантовых ям в сверхрешетках. Представлены экспериментальные результаты исследования эпитаксиальных слоев с квантовыми точками, полученных методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава. The opportunity of manufacturing of different types of pressure sensors based on low-dimensional structures has been demonstrated. The fundamentally new methods of expansion of pressure range and linearity of high-sensitive sensors have been offered. They are based on making either quantum dots with different sizes or the gradient of quantum well thickness in superlattices. The experimental results of investigation of epilayers with quantum dots obtained by the method of pulse cooling of saturated solution-melt have been represented. 2002 Article Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления / И.Е. Марончук, А.Д. Кучерук, С.Ю. Ерохин, И.В. Чорный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 38-43. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70806 531.781.2 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Сенсоэлектроника Сенсоэлектроника |
| spellingShingle |
Сенсоэлектроника Сенсоэлектроника Марончук, И.Е. Кучерук, А.Д. Ерохин, С.Ю. Чорный, И.В. Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Продемонстрирована возможность создания различных типов датчиков давления на низкоразмерных структурах. Предложены принципиально новые пути расширения динамического диапазона и линейности нагрузочных характеристик высокочувствительных датчиков, базирующиеся на создании либо набора квантовых точек различных размеров, либо градиента ширины квантовых ям в сверхрешетках. Представлены экспериментальные результаты исследования эпитаксиальных слоев с квантовыми точками, полученных методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава. |
| format |
Article |
| author |
Марончук, И.Е. Кучерук, А.Д. Ерохин, С.Ю. Чорный, И.В. |
| author_facet |
Марончук, И.Е. Кучерук, А.Д. Ерохин, С.Ю. Чорный, И.В. |
| author_sort |
Марончук, И.Е. |
| title |
Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления |
| title_short |
Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления |
| title_full |
Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления |
| title_fullStr |
Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления |
| title_full_unstemmed |
Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления |
| title_sort |
использование низкоразмерных гетероструктур соединений а³в⁵ в датчиках давления |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2002 |
| topic_facet |
Сенсоэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70806 |
| citation_txt |
Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления / И.Е. Марончук, А.Д. Кучерук, С.Ю. Ерохин, И.В. Чорный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 38-43. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT marončukie ispolʹzovanienizkorazmernyhgeterostruktursoedinenija3v5vdatčikahdavleniâ AT kučerukad ispolʹzovanienizkorazmernyhgeterostruktursoedinenija3v5vdatčikahdavleniâ AT erohinsû ispolʹzovanienizkorazmernyhgeterostruktursoedinenija3v5vdatčikahdavleniâ AT čornyjiv ispolʹzovanienizkorazmernyhgeterostruktursoedinenija3v5vdatčikahdavleniâ |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:20Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:20Z |
| _version_ |
1796145702721552384 |