Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах
Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм и концентрацией носителей (5...6)·10¹⁵ cм⁻³. Показано, что контакты со слоями...
Збережено в:
Дата: | 2002 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70810 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах / В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, М.А. Стовповой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 54-56. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-70810 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-708102014-11-14T03:01:37Z Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах Иванов, В.Н. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Стовповой, М.А. Интегральные схемы и полупроводниковые приборы Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм и концентрацией носителей (5...6)·10¹⁵ cм⁻³. Показано, что контакты со слоями TiNх, TaNх, TiBrх мало изменяют параметры после термообработки при 550°C в течение 1 часа. Контакты со слоями Ti и Ta при термообработке 550°C резко изменяют свои характеристики. Discussion of the thermal stability of ohmic and rectifying AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au contacts to n-type GaAs epitaxial layer structures 3—5 mm thick with carrier concentration ranged between (5...6)·10¹⁵ cm⁻³. It is shown that parameters of contacts which included TiNх, TaNх, TiBrх layers changed slightly after annealing at 550°C for 1 hour. Contacts with Ti and Ta layers showed abrupt changes in their characteristics when annealed at 550°C. 2002 Article Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах / В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, М.А. Стовповой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 54-56. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70810 621.382.2.029.64 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
spellingShingle |
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы Интегральные схемы и полупроводниковые приборы Иванов, В.Н. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Стовповой, М.А. Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
description |
Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм и концентрацией носителей (5...6)·10¹⁵ cм⁻³. Показано, что контакты со слоями TiNх, TaNх, TiBrх мало изменяют параметры после термообработки при 550°C в течение 1 часа. Контакты со слоями Ti и Ta при термообработке 550°C резко изменяют свои характеристики. |
format |
Article |
author |
Иванов, В.Н. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Стовповой, М.А. |
author_facet |
Иванов, В.Н. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Стовповой, М.А. |
author_sort |
Иванов, В.Н. |
title |
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах |
title_short |
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах |
title_full |
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах |
title_fullStr |
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах |
title_full_unstemmed |
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах |
title_sort |
контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых свч-приборах |
publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
publishDate |
2002 |
topic_facet |
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70810 |
citation_txt |
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах / В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, М.А. Стовповой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 54-56. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
work_keys_str_mv |
AT ivanovvn kontaktoobrazuûŝieplenkiboridovinitridovtitanavarsenidgallievyhsvčpriborah AT konakovarv kontaktoobrazuûŝieplenkiboridovinitridovtitanavarsenidgallievyhsvčpriborah AT mileninvv kontaktoobrazuûŝieplenkiboridovinitridovtitanavarsenidgallievyhsvčpriborah AT stovpovojma kontaktoobrazuûŝieplenkiboridovinitridovtitanavarsenidgallievyhsvčpriborah |
first_indexed |
2023-10-18T18:59:21Z |
last_indexed |
2023-10-18T18:59:21Z |
_version_ |
1796145703145177088 |