Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах

Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм и концентрацией носителей (5...6)·10¹⁵ cм⁻³. Показано, что контакты со слоями...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2002
Автори: Иванов, В.Н., Конакова, Р.В., Миленин, В.В., Стовповой, М.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70810
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах / В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, М.А. Стовповой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 54-56. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-70810
record_format dspace
spelling irk-123456789-708102014-11-14T03:01:37Z Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах Иванов, В.Н. Конакова, Р.В. Миленин, В.В. Стовповой, М.А. Интегральные схемы и полупроводниковые приборы Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм и концентрацией носителей (5...6)·10¹⁵ cм⁻³. Показано, что контакты со слоями TiNх, TaNх, TiBrх мало изменяют параметры после термообработки при 550°C в течение 1 часа. Контакты со слоями Ti и Ta при термообработке 550°C резко изменяют свои характеристики. Discussion of the thermal stability of ohmic and rectifying AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au contacts to n-type GaAs epitaxial layer structures 3—5 mm thick with carrier concentration ranged between (5...6)·10¹⁵ cm⁻³. It is shown that parameters of contacts which included TiNх, TaNх, TiBrх layers changed slightly after annealing at 550°C for 1 hour. Contacts with Ti and Ta layers showed abrupt changes in their characteristics when annealed at 550°C. 2002 Article Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах / В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, М.А. Стовповой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 54-56. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70810 621.382.2.029.64 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
spellingShingle Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
Иванов, В.Н.
Конакова, Р.В.
Миленин, В.В.
Стовповой, М.А.
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм и концентрацией носителей (5...6)·10¹⁵ cм⁻³. Показано, что контакты со слоями TiNх, TaNх, TiBrх мало изменяют параметры после термообработки при 550°C в течение 1 часа. Контакты со слоями Ti и Ta при термообработке 550°C резко изменяют свои характеристики.
format Article
author Иванов, В.Н.
Конакова, Р.В.
Миленин, В.В.
Стовповой, М.А.
author_facet Иванов, В.Н.
Конакова, Р.В.
Миленин, В.В.
Стовповой, М.А.
author_sort Иванов, В.Н.
title Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах
title_short Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах
title_full Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах
title_fullStr Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах
title_full_unstemmed Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах
title_sort контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых свч-приборах
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2002
topic_facet Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70810
citation_txt Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах / В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, М.А. Стовповой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 54-56. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT ivanovvn kontaktoobrazuûŝieplenkiboridovinitridovtitanavarsenidgallievyhsvčpriborah
AT konakovarv kontaktoobrazuûŝieplenkiboridovinitridovtitanavarsenidgallievyhsvčpriborah
AT mileninvv kontaktoobrazuûŝieplenkiboridovinitridovtitanavarsenidgallievyhsvčpriborah
AT stovpovojma kontaktoobrazuûŝieplenkiboridovinitridovtitanavarsenidgallievyhsvčpriborah
first_indexed 2023-10-18T18:59:21Z
last_indexed 2023-10-18T18:59:21Z
_version_ 1796145703145177088