Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС
Исследованы высокочастотные плазменные процессы осаждения и травления функциональных слоев при формировании структур БИС с топологическими размерами 0,5—0,8 мкм. Технология обеспечивает минимально привносимую дефектность функциональных слоев (<0,05 см⁻²), не влияет на зарядовое состояние границы...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70811 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 57-63. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70811 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-708112014-11-14T03:01:39Z Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС Новосядлый, С.П. Интегральные схемы и полупроводниковые приборы Исследованы высокочастотные плазменные процессы осаждения и травления функциональных слоев при формировании структур БИС с топологическими размерами 0,5—0,8 мкм. Технология обеспечивает минимально привносимую дефектность функциональных слоев (<0,05 см⁻²), не влияет на зарядовое состояние границы раздела Si—SiO₂ и создает благоприятные условия для осуществления низкотемпературной (<700°C) гомоэпитаксии монокремния и поликремния на Si-подложке любого типа ориентации. In article experimental researches of high-frequency plasma processes of sedimentation and etching of functional layers are resulted at formation of submicronic structures the VLSI with the minimal topological sizes 0,5—0,8 mm with use of a zone of afterglow of reactors of a electron-cyclotron resonance. Such plasma technology provides minimally introduced deficiency of functional layers (<0,05 sm⁻²), do not influence a charging condition of border of unit Si—SiO₂ and creates favorable conditions for realization low temperature (<700°C) homo epitaxial monosilicon and polysilicon on a Si-substrate of any type of orientation. 2002 Article Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 57-63. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70811 621.382.8 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| spellingShingle |
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы Интегральные схемы и полупроводниковые приборы Новосядлый, С.П. Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследованы высокочастотные плазменные процессы осаждения и травления функциональных слоев при формировании структур БИС с топологическими размерами 0,5—0,8 мкм. Технология обеспечивает минимально привносимую дефектность функциональных слоев (<0,05 см⁻²), не влияет на зарядовое состояние границы раздела Si—SiO₂ и создает благоприятные условия для осуществления низкотемпературной (<700°C) гомоэпитаксии монокремния и поликремния на Si-подложке любого типа ориентации. |
| format |
Article |
| author |
Новосядлый, С.П. |
| author_facet |
Новосядлый, С.П. |
| author_sort |
Новосядлый, С.П. |
| title |
Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС |
| title_short |
Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС |
| title_full |
Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС |
| title_fullStr |
Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС |
| title_full_unstemmed |
Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС |
| title_sort |
плазменная технология формирования субмикронных структур бис |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2002 |
| topic_facet |
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70811 |
| citation_txt |
Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 57-63. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT novosâdlyjsp plazmennaâtehnologiâformirovaniâsubmikronnyhstrukturbis |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:21Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:21Z |
| _version_ |
1796145703251083264 |