Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС

• Дата: 2002
• Автор: Новосядлый, С.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70811
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 57-63. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Исследованы высокочастотные плазменные процессы осаждения и травления функциональных слоев при формировании структур БИС с топологическими размерами 0,5—0,8 мкм. Технология обеспечивает минимально привносимую дефектность функциональных слоев (<0,05 см⁻²), не влияет на зарядовое состояние границы...