Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры
Исследовано влияние радиационной обработки быстрыми электронами и быстрыми нейтронами на полупроводниковые микросхемы, используемые в качестве первичных преобразователей температуры, и гибридные микросборки, предназначенные для измерения и стабилизации температуры первичных преобразователей неэлектр...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70825 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры / В.А. Мокрицкий, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 25-27. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Исследовано влияние радиационной обработки быстрыми электронами и быстрыми нейтронами на полупроводниковые микросхемы, используемые в качестве первичных преобразователей температуры, и гибридные микросборки, предназначенные для измерения и стабилизации температуры первичных преобразователей неэлектрических величин. Предложена технология радиационной обработки быстрыми электронами исследованных полупроводниковых микросхем, позволяющая в зависимости от величины дозы повысить температурный коэффициент напряжения первичных преобразователей на 10-20%. Определены пороговые дозы радиационного воздействия быстрыми электронами и быстрыми нейтронами, которые обеспечивают улучшение качества гибридных микросборок. |
|---|