Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры
Исследовано влияние радиационной обработки быстрыми электронами и быстрыми нейтронами на полупроводниковые микросхемы, используемые в качестве первичных преобразователей температуры, и гибридные микросборки, предназначенные для измерения и стабилизации температуры первичных преобразователей неэлектр...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70825 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры / В.А. Мокрицкий, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 25-27. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70825 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-708252014-11-16T03:01:44Z Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры Мокрицкий, В.А. Завадский, В.А. Технология производства Исследовано влияние радиационной обработки быстрыми электронами и быстрыми нейтронами на полупроводниковые микросхемы, используемые в качестве первичных преобразователей температуры, и гибридные микросборки, предназначенные для измерения и стабилизации температуры первичных преобразователей неэлектрических величин. Предложена технология радиационной обработки быстрыми электронами исследованных полупроводниковых микросхем, позволяющая в зависимости от величины дозы повысить температурный коэффициент напряжения первичных преобразователей на 10-20%. Определены пороговые дозы радиационного воздействия быстрыми электронами и быстрыми нейтронами, которые обеспечивают улучшение качества гибридных микросборок. 2001 Article Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры / В.А. Мокрицкий, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 25-27. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70825 621.37/39.193:539.216:539.211 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технология производства Технология производства |
| spellingShingle |
Технология производства Технология производства Мокрицкий, В.А. Завадский, В.А. Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследовано влияние радиационной обработки быстрыми электронами и быстрыми нейтронами на полупроводниковые микросхемы, используемые в качестве первичных преобразователей температуры, и гибридные микросборки, предназначенные для измерения и стабилизации температуры первичных преобразователей неэлектрических величин. Предложена технология радиационной обработки быстрыми электронами исследованных полупроводниковых микросхем, позволяющая в зависимости от величины дозы повысить температурный коэффициент напряжения первичных преобразователей на 10-20%. Определены пороговые дозы радиационного воздействия быстрыми электронами и быстрыми нейтронами, которые обеспечивают улучшение качества гибридных микросборок. |
| format |
Article |
| author |
Мокрицкий, В.А. Завадский, В.А. |
| author_facet |
Мокрицкий, В.А. Завадский, В.А. |
| author_sort |
Мокрицкий, В.А. |
| title |
Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры |
| title_short |
Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры |
| title_full |
Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры |
| title_fullStr |
Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры |
| title_full_unstemmed |
Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры |
| title_sort |
влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2001 |
| topic_facet |
Технология производства |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70825 |
| citation_txt |
Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры / В.А. Мокрицкий, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 25-27. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT mokrickijva vliânieradiacionnojobrabotkinaparametryintegralʹnyhpreobrazovatelejtemperatury AT zavadskijva vliânieradiacionnojobrabotkinaparametryintegralʹnyhpreobrazovatelejtemperatury |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:22Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:22Z |
| _version_ |
1796145704097284096 |