2025-02-23T06:52:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70836%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T06:52:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70836%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T06:52:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T06:52:52-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации

Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации

Установлены две основные группы механизмов отказов ТТЛШ БИС в условиях воздействия гамма-излучения: образование радиационно-стимулированных каналов тока утечки между скрытыми n⁺-слоями отдельных компонентов БИС из-за наличия локальных дефектов (разрывов в слое охранного р⁺-кольца) и каналов тока уте...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Белоус, А.И., Ефименко, С.А., Калошкин, Э.П., Карпов, И.Н., Пономарь, В.Н., Прибыльский, А.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Качество. Надежность
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70836
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70836

Similar Items