Агеев, О., Светличный, А., Ковалев, Н., & Разгонов, Р. (2001). Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Агеев, О.А, А.М Светличный, Н.А Ковалев, та Р.Н Разгонов. Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2001.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Агеев, О.А, et al. Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2001.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.