Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
Исследованы оптические характеристики тонких пленок нового широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄. Область прозрачности пленок составляет 0,3—25 мкм, показатель преломления при λ=0,63 мкм равен 2,2. Оптические характеристики после термообработки (473 К), естественного старения (два года), а также обра...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70857 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов / Н.И. Попович, Н.И. Довгошей, И.Э. Качер // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 19-20. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70857 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-708572014-11-16T03:01:50Z Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов Попович, Н.И. Довгошей, Н.И. Качер, И.Э. Функциональная микроэлектроника Исследованы оптические характеристики тонких пленок нового широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄. Область прозрачности пленок составляет 0,3—25 мкм, показатель преломления при λ=0,63 мкм равен 2,2. Оптические характеристики после термообработки (473 К), естественного старения (два года), а также обработки лазерным излучением (10⁶ Вт/см²) остаются неизменными. Изучена возможность применения ZnGa₂S₄ в качестве просветляющих и защитных покрытий для оптических кристаллов в диапазоне длин волн 0,3—25 мкм. The optical characteristics of new widezone ZnGa₂S₄ semiconductor thin films have been investigated. The transparance range of films is 0,3— 25 mm, the refraction index for λ=0,63 mm equels 2,2. The optical characteristics after thermal processing (473 K), natural ageing (two years) as well as treatment by laser beam (10⁶ W/sm²) are remained without changes. The possibility of ZnGa₂S₄ application as antirefrection coating and protective coats for optical crystals in range of 0,3—20 mm long waves has been studied. 2001 Article Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов / Н.И. Попович, Н.И. Довгошей, И.Э. Качер // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 19-20. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70857 535.3:535.51 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микроэлектроника Функциональная микроэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микроэлектроника Функциональная микроэлектроника Попович, Н.И. Довгошей, Н.И. Качер, И.Э. Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследованы оптические характеристики тонких пленок нового широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄. Область прозрачности пленок составляет 0,3—25 мкм, показатель преломления при λ=0,63 мкм равен 2,2. Оптические характеристики после термообработки (473 К), естественного старения (два года), а также обработки лазерным излучением (10⁶ Вт/см²) остаются неизменными. Изучена возможность применения ZnGa₂S₄ в качестве просветляющих и защитных покрытий для оптических кристаллов в диапазоне длин волн 0,3—25 мкм. |
| format |
Article |
| author |
Попович, Н.И. Довгошей, Н.И. Качер, И.Э. |
| author_facet |
Попович, Н.И. Довгошей, Н.И. Качер, И.Э. |
| author_sort |
Попович, Н.И. |
| title |
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов |
| title_short |
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов |
| title_full |
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов |
| title_fullStr |
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов |
| title_full_unstemmed |
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов |
| title_sort |
применение пленок широкозонного полупроводника znga₂s₄ для просветления оптических элементов |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2001 |
| topic_facet |
Функциональная микроэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70857 |
| citation_txt |
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов / Н.И. Попович, Н.И. Довгошей, И.Э. Качер // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 19-20. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT popovični primenenieplenokširokozonnogopoluprovodnikaznga2s4dlâprosvetleniâoptičeskihélementov AT dovgošejni primenenieplenokširokozonnogopoluprovodnikaznga2s4dlâprosvetleniâoptičeskihélementov AT kačerié primenenieplenokširokozonnogopoluprovodnikaznga2s4dlâprosvetleniâoptičeskihélementov |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:26Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:26Z |
| _version_ |
1796145707485233152 |