Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время переключения 10-100 нс. Установлено, что появление эффекта переключения с памятью о...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70860 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 36-37. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70860 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-708602016-05-23T10:20:35Z Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe Байдуллаева, А. Власенко, А.И. Ломовцев, А.В. Мозоль, П.Е. Сенсоэлектроника Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время переключения 10-100 нс. Установлено, что появление эффекта переключения с памятью обусловлено образованием слоя Те на поверхности образцов в результате лазерного облучения. The volt-current characteristics of n- and р-type CdTe single crystals and polycrystals have been investigated. The effect of switching with memory after samples irradiation by laser pulses has been seen. The switching time is about 10—100 ns. It has been established that the apperance of switching effect with memory was motivated by the formation of Te layer on the surface of samples as the result of laser irradiation. 2001 Article Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 36-37. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70860 621.315.592 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Сенсоэлектроника Сенсоэлектроника |
| spellingShingle |
Сенсоэлектроника Сенсоэлектроника Байдуллаева, А. Власенко, А.И. Ломовцев, А.В. Мозоль, П.Е. Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время переключения 10-100 нс. Установлено, что появление эффекта переключения с памятью обусловлено образованием слоя Те на поверхности образцов в результате лазерного облучения. |
| format |
Article |
| author |
Байдуллаева, А. Власенко, А.И. Ломовцев, А.В. Мозоль, П.Е. |
| author_facet |
Байдуллаева, А. Власенко, А.И. Ломовцев, А.В. Мозоль, П.Е. |
| author_sort |
Байдуллаева, А. |
| title |
Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe |
| title_short |
Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe |
| title_full |
Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe |
| title_fullStr |
Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe |
| title_full_unstemmed |
Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe |
| title_sort |
создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов cdte |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2001 |
| topic_facet |
Сенсоэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70860 |
| citation_txt |
Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 36-37. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT bajdullaevaa sozdaniepereklûčaûŝihélementovspamâtʹûnaosnovekristallovcdte AT vlasenkoai sozdaniepereklûčaûŝihélementovspamâtʹûnaosnovekristallovcdte AT lomovcevav sozdaniepereklûčaûŝihélementovspamâtʹûnaosnovekristallovcdte AT mozolʹpe sozdaniepereklûčaûŝihélementovspamâtʹûnaosnovekristallovcdte |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:27Z |
| last_indexed |
2024-03-30T07:59:16Z |
| _version_ |
1796145707802951680 |