2025-02-23T13:47:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70860%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:47:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70860%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:47:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:47:57-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe

Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe

Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время переключения 10-100 нс. Установлено, что появление эффекта переключения с памятью о...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Байдуллаева, А., Власенко, А.И., Ломовцев, А.В., Мозоль, П.Е.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Сенсоэлектроника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70860
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Similar Items

2025-02-23T13:47:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70860%22&qt=morelikethis
2025-02-23T13:47:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70860%22&qt=morelikethis
2025-02-23T13:47:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:47:57-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Similar Items