Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния

• Видавець: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
• Дата: 2001
• Автори: Вербицкий, В.Г., Золотаревский, В.И., Николаенко, Ю.Е., Самотовка, Л.И., Товмач, Е.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70865
• Цитувати: Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния / В.Г. Вербицкий, В.И. Золотаревский, Ю.Е. Николаенко, Л.И. Самотовка, Е.С. Товмач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 59-63. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Рассмотрены возможности проектирования высоковольтных КМОП ИС на основе объемного кремния. Представлены электрические параметры ключей и коммутаторов, факторы, ограничивающие проектирование КМОП ИС с управлением сигналами от ТТЛ ИС. Выполнен анализ некоторых электрических и конструктивных параметров элементов КМОП-транзисторов входного инвертора устройства управления ключом (УУК) и аналогового ключа. Показано, что при изоляции от общей подложки объемного кремния р-канальных КМОП-транзисторов с помощью n-р-переходов (n-кармана) предельное напряжение питания УУК и коммутации ключом составляет ±20 В, а при изоляции n-канальных КМОП-транзисторов с помощью р-n-переходов (р-кармана) - ±50 В.