Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния

Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния

Рассмотрены возможности проектирования высоковольтных КМОП ИС на основе объемного кремния. Представлены электрические параметры ключей и коммутаторов, факторы, ограничивающие проектирование КМОП ИС с управлением сигналами от ТТЛ ИС. Выполнен анализ некоторых электрических и конструктивных параметров...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Дата:2001
Автори: Вербицкий, В.Г., Золотаревский, В.И., Николаенко, Ю.Е., Самотовка, Л.И., Товмач, Е.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70865
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния / В.Г. Вербицкий, В.И. Золотаревский, Ю.Е. Николаенко, Л.И. Самотовка, Е.С. Товмач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 59-63. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-70865
record_format dspace
spelling irk-123456789-708652014-11-16T03:02:00Z Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния Вербицкий, В.Г. Золотаревский, В.И. Николаенко, Ю.Е. Самотовка, Л.И. Товмач, Е.С. Интегральные схемы и полупроводниковые приборы Рассмотрены возможности проектирования высоковольтных КМОП ИС на основе объемного кремния. Представлены электрические параметры ключей и коммутаторов, факторы, ограничивающие проектирование КМОП ИС с управлением сигналами от ТТЛ ИС. Выполнен анализ некоторых электрических и конструктивных параметров элементов КМОП-транзисторов входного инвертора устройства управления ключом (УУК) и аналогового ключа. Показано, что при изоляции от общей подложки объемного кремния р-канальных КМОП-транзисторов с помощью n-р-переходов (n-кармана) предельное напряжение питания УУК и коммутации ключом составляет ±20 В, а при изоляции n-канальных КМОП-транзисторов с помощью р-n-переходов (р-кармана) - ±50 В. The possibilities of the design voltage CMOS IC switches on the base of bulk silicon have been considered. The electrical parameters of switches and multiplexers, the factors bounding the design of CMOS IC with control by signals of TTL IC have been presented. The analysis of some electrical and constructive elements' parameters of the input inverter CMOS transistors of switch control device (SCD) and analog switch has been carried out. It has been shown that limit of SCD supply voltage and switching voltage equally to ±20 V when р-chanal CMOS transistors are insulated from general substrate owing to n-р-transistions (n-well) and when n-channel CMOS transistors are insulated owing to р-n-transistions (р-well) — ±50 V. 2001 Article Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния / В.Г. Вербицкий, В.И. Золотаревский, Ю.Е. Николаенко, Л.И. Самотовка, Е.С. Товмач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 59-63. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70865 621.382(088-8) ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
spellingShingle Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
Вербицкий, В.Г.
Золотаревский, В.И.
Николаенко, Ю.Е.
Самотовка, Л.И.
Товмач, Е.С.
Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Рассмотрены возможности проектирования высоковольтных КМОП ИС на основе объемного кремния. Представлены электрические параметры ключей и коммутаторов, факторы, ограничивающие проектирование КМОП ИС с управлением сигналами от ТТЛ ИС. Выполнен анализ некоторых электрических и конструктивных параметров элементов КМОП-транзисторов входного инвертора устройства управления ключом (УУК) и аналогового ключа. Показано, что при изоляции от общей подложки объемного кремния р-канальных КМОП-транзисторов с помощью n-р-переходов (n-кармана) предельное напряжение питания УУК и коммутации ключом составляет ±20 В, а при изоляции n-канальных КМОП-транзисторов с помощью р-n-переходов (р-кармана) - ±50 В.
format Article
author Вербицкий, В.Г.
Золотаревский, В.И.
Николаенко, Ю.Е.
Самотовка, Л.И.
Товмач, Е.С.
author_facet Вербицкий, В.Г.
Золотаревский, В.И.
Николаенко, Ю.Е.
Самотовка, Л.И.
Товмач, Е.С.
author_sort Вербицкий, В.Г.
title Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния
title_short Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния
title_full Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния
title_fullStr Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния
title_full_unstemmed Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния
title_sort проектирование высоковольтных кмоп ис ключей и коммутаторов на основе объемного кремния
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2001
topic_facet Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70865
citation_txt Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния / В.Г. Вербицкий, В.И. Золотаревский, Ю.Е. Николаенко, Л.И. Самотовка, Е.С. Товмач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 59-63. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT verbickijvg proektirovanievysokovolʹtnyhkmopisklûčejikommutatorovnaosnoveobʺemnogokremniâ
AT zolotarevskijvi proektirovanievysokovolʹtnyhkmopisklûčejikommutatorovnaosnoveobʺemnogokremniâ
AT nikolaenkoûe proektirovanievysokovolʹtnyhkmopisklûčejikommutatorovnaosnoveobʺemnogokremniâ
AT samotovkali proektirovanievysokovolʹtnyhkmopisklûčejikommutatorovnaosnoveobʺemnogokremniâ
AT tovmačes proektirovanievysokovolʹtnyhkmopisklûčejikommutatorovnaosnoveobʺemnogokremniâ
first_indexed 2023-10-18T18:59:28Z
last_indexed 2023-10-18T18:59:28Z
_version_ 1796145708345065472

Схожі ресурси