Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы

• Видавець: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
• Дата: 2001
• Автори: Викулина, Л.Ф., Храмов, Е.Ф.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Компоненты для электронной аппаратуры
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70878
• Цитувати: Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы / Л.Ф. Викулина, Е.Ф. Храмов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 49-50. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Исследовано влияние γ-излучения на параметры магнитоуправляемых переключающих микросхем типа К1116КП. Обнаружено, что под действием излучения уменьшается эдс Холла, входящего в схему датчика, а также коэффициенты передачи по току транзисторов, что приводит к увеличению пороговой индукции магнитного...