Датчики приближения и положения на основе индуктивных балансных сенсоров

• Дата: 2001
• Автори: Негоденко, О.Н., Семенцов, В.И., Мардамшин, Ю.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Датчики
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70880
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Датчики приближения и положения на основе индуктивных балансных сенсоров / О.Н. Негоденко, В.И. Семенцов, Ю.П. Мардамшин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 53-55. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Предлагается повышать чувствительность индуктивных балансных сенсоров (ИБС) настройкой выходного контура в резонанс с частотой генератора, а также увеличением количества входных катушек. Это позволяет увеличить расстояние переключения датчиков приближения в 2–3 раза. На изогнутых ИБС реализуются дат...