Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений

Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений

Прямозонные полупроводниковые соединения могут быть пролегированы позитронно-активной примесью с высокой степенью концентрации. Позитрон в кристалле полупроводника рассматривается как легчайшая дырка с эффективной массой, равной эффективной массе электрона. Такая дырка может связаться с электроном и...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2001
Автор: Гаркавенко, А.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Материалы электроники
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70881
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 56-59. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-70881
record_format dspace
spelling irk-123456789-708812014-11-16T03:02:09Z Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений Гаркавенко, А.С. Материалы электроники Прямозонные полупроводниковые соединения могут быть пролегированы позитронно-активной примесью с высокой степенью концентрации. Позитрон в кристалле полупроводника рассматривается как легчайшая дырка с эффективной массой, равной эффективной массе электрона. Такая дырка может связаться с электроном и образовать экситон нового типа—позитекс. На основе аналогии между позитексами и экситонами Ванье–Мотта показана возможность достижения необходимых и достаточных условий для генерации когерентного гамма-излучения в такой системе. 2001 Article Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 56-59. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70881 621.315.592 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы электроники
Материалы электроники
spellingShingle Материалы электроники
Материалы электроники
Гаркавенко, А.С.
Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Прямозонные полупроводниковые соединения могут быть пролегированы позитронно-активной примесью с высокой степенью концентрации. Позитрон в кристалле полупроводника рассматривается как легчайшая дырка с эффективной массой, равной эффективной массе электрона. Такая дырка может связаться с электроном и образовать экситон нового типа—позитекс. На основе аналогии между позитексами и экситонами Ванье–Мотта показана возможность достижения необходимых и достаточных условий для генерации когерентного гамма-излучения в такой системе.
format Article
author Гаркавенко, А.С.
author_facet Гаркавенко, А.С.
author_sort Гаркавенко, А.С.
title Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
title_short Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
title_full Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
title_fullStr Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
title_full_unstemmed Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
title_sort немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2001
topic_facet Материалы электроники
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70881
citation_txt Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 56-59. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT garkavenkoas nemessbauérovskijgammalazernaosnoveprâmozonnyhpoluprovodnikovyhsoedinenij
first_indexed 2023-10-18T18:59:30Z
last_indexed 2023-10-18T18:59:30Z
_version_ 1796145710061584384

Схожі ресурси