Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники
Предложена идея нетрадиционного усилителя тока на основе радиационно стойких полупроводников (ПП) группы A³₂B⁶₃. Кристаллическая решетка этих ПП содержит стехиометрические вакансии (пустые узлы), которые захватывают и электрически нейтрализуют вводимые примеси. Поэтому создать в таких ПП p—n-переход...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70883 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники / С.Л. Королюк, С.С. Королюк, И.М. Раренко, О.Л. Тарко, А.В. Галочкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70883 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-708832014-11-16T03:01:56Z Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники Королюк, С.Л. Королюк, С.С. Раренко, И.М. Тарко, О.Л. Галочкин, А.В. Материалы для микроэлектроники Предложена идея нетрадиционного усилителя тока на основе радиационно стойких полупроводников (ПП) группы A³₂B⁶₃. Кристаллическая решетка этих ПП содержит стехиометрические вакансии (пустые узлы), которые захватывают и электрически нейтрализуют вводимые примеси. Поэтому создать в таких ПП p—n-переход и на его основе усилитель — невозможно. Идея авторов основана на том, что в собственном ПП, помещенном во внешнее электрическое поле, увеличивается количество электронно-дырочных пар вследствие понижения ионизационного потенциала атомов ПП (эффект Зенера). 2001 Article Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники / С.Л. Королюк, С.С. Королюк, И.М. Раренко, О.Л. Тарко, А.В. Галочкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70883 621.315.592 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники |
| spellingShingle |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники Королюк, С.Л. Королюк, С.С. Раренко, И.М. Тарко, О.Л. Галочкин, А.В. Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Предложена идея нетрадиционного усилителя тока на основе радиационно стойких полупроводников (ПП) группы A³₂B⁶₃. Кристаллическая решетка этих ПП содержит стехиометрические вакансии (пустые узлы), которые захватывают и электрически нейтрализуют вводимые примеси. Поэтому создать в таких ПП p—n-переход и на его основе усилитель — невозможно. Идея авторов основана на том, что в собственном ПП, помещенном во внешнее электрическое поле, увеличивается количество электронно-дырочных пар вследствие понижения ионизационного потенциала атомов ПП (эффект Зенера). |
| format |
Article |
| author |
Королюк, С.Л. Королюк, С.С. Раренко, И.М. Тарко, О.Л. Галочкин, А.В. |
| author_facet |
Королюк, С.Л. Королюк, С.С. Раренко, И.М. Тарко, О.Л. Галочкин, А.В. |
| author_sort |
Королюк, С.Л. |
| title |
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| title_short |
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| title_full |
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| title_fullStr |
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| title_full_unstemmed |
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| title_sort |
собственные полупроводники группы a³₂b⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2001 |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70883 |
| citation_txt |
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники / С.Л. Королюк, С.С. Королюк, И.М. Раренко, О.Л. Тарко, А.В. Галочкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT korolûksl sobstvennyepoluprovodnikigruppya32b63kakperspektivnyematerialydlâradiacionnostojkojélektroniki AT korolûkss sobstvennyepoluprovodnikigruppya32b63kakperspektivnyematerialydlâradiacionnostojkojélektroniki AT rarenkoim sobstvennyepoluprovodnikigruppya32b63kakperspektivnyematerialydlâradiacionnostojkojélektroniki AT tarkool sobstvennyepoluprovodnikigruppya32b63kakperspektivnyematerialydlâradiacionnostojkojélektroniki AT galočkinav sobstvennyepoluprovodnikigruppya32b63kakperspektivnyematerialydlâradiacionnostojkojélektroniki |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:30Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:30Z |
| _version_ |
1796145710276542464 |