Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов

Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов

Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно активным слоем металлургической границы. При этом спектральное положение полос фот...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2001
Автори: Власенко, А.И., Власенко, З.К., Гнатюк, В.А., Смирнов, А.Б., Курило, И.В., Рудый, И.А., Ижнин, И.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Функциональная микроэлектроника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70889
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов / А.И. Власенко, З.К. Власенко, В.А. Гнатюк, А.Б. Смирнов, И.В. Курило, И.А. Рудый, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 25-29. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-70889
record_format dspace
spelling irk-123456789-708892014-11-16T03:02:11Z Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов Власенко, А.И. Власенко, З.К. Гнатюк, В.А. Смирнов, А.Б. Курило, И.В. Рудый, И.А. Ижнин, И.И. Функциональная микроэлектроника Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно активным слоем металлургической границы. При этом спектральное положение полос фото­чувстви­тель­ности может технологически регулироваться составом и рекомби­национными параметрами диффузионного и нарощенного слоев. 2001 Article Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов / А.И. Власенко, З.К. Власенко, В.А. Гнатюк, А.Б. Смирнов, И.В. Курило, И.А. Рудый, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 25-29. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70889 621.384.3 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Функциональная микроэлектроника
Функциональная микроэлектроника
spellingShingle Функциональная микроэлектроника
Функциональная микроэлектроника
Власенко, А.И.
Власенко, З.К.
Гнатюк, В.А.
Смирнов, А.Б.
Курило, И.В.
Рудый, И.А.
Ижнин, И.И.
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно активным слоем металлургической границы. При этом спектральное положение полос фото­чувстви­тель­ности может технологически регулироваться составом и рекомби­национными параметрами диффузионного и нарощенного слоев.
format Article
author Власенко, А.И.
Власенко, З.К.
Гнатюк, В.А.
Смирнов, А.Б.
Курило, И.В.
Рудый, И.А.
Ижнин, И.И.
author_facet Власенко, А.И.
Власенко, З.К.
Гнатюк, В.А.
Смирнов, А.Б.
Курило, И.В.
Рудый, И.А.
Ижнин, И.И.
author_sort Власенко, А.И.
title Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
title_short Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
title_full Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
title_fullStr Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
title_full_unstemmed Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
title_sort варизонные слои на основе твердых растворов cdhgte для двухполосных ик-фоторезисторов
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2001
topic_facet Функциональная микроэлектроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70889
citation_txt Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов / А.И. Власенко, З.К. Власенко, В.А. Гнатюк, А.Б. Смирнов, И.В. Курило, И.А. Рудый, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 25-29. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT vlasenkoai varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov
AT vlasenkozk varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov
AT gnatûkva varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov
AT smirnovab varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov
AT kuriloiv varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov
AT rudyjia varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov
AT ižninii varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov
first_indexed 2023-10-18T18:59:31Z
last_indexed 2023-10-18T18:59:31Z
_version_ 1796145710923513856

Схожі ресурси