Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов

• Дата: 2001
• Автори: Власенко, А.И., Власенко, З.К., Гнатюк, В.А., Смирнов, А.Б., Курило, И.В., Рудый, И.А., Ижнин, И.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Функциональная микроэлектроника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70889
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов / А.И. Власенко, З.К. Власенко, В.А. Гнатюк, А.Б. Смирнов, И.В. Курило, И.А. Рудый, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 25-29. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно активным слоем металлургической границы. При этом спектральное положение полос фот...