Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра

• Дата: 2001
• Автори: Ковтун, Г.П., Кравченко, А.И., Щербань, А.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Новое технологическое оборудование для микроэлектроники
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70897
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 52-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций (5·10⁴ см⁻²) и равномерностью ее распределения по сечению. Отмечается нестабильность диаметра и появление двойникования у выращиваемых монокристаллов при значительном снижении температурного градиента.