2025-02-23T05:50:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70897%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T05:50:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70897%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T05:50:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T05:50:11-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра

Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра

Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций (5·10⁴ см⁻²) и равномерностью ее распределения по сечению. Отмечается нест...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Ковтун, Г.П., Кравченко, А.И., Щербань, А.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Новое технологическое оборудование для микроэлектроники
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70897
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Similar Items

2025-02-23T05:50:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70897%22&qt=morelikethis
2025-02-23T05:50:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70897%22&qt=morelikethis
2025-02-23T05:50:11-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T05:50:11-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Similar Items