Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов
Представлены результаты воздействия на кристаллические структуры некоторых полупроводниковых приборов электрического и магнитного полей соответствующей геометрии с целью коррекции параметров приборов на различных технологических этапах. Установлено, что изменения параметров наблюдаются у кристалличе...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70913 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов / А.А. Ащеулов, Ю.Г. Добровольский, В.А. Безулик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 33-35. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70913 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-709132014-11-17T03:01:35Z Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов Ащеулов, А.А. Добровольский, Ю.Г. Безулик, В.А. Компоненты для электронной аппаратуры Представлены результаты воздействия на кристаллические структуры некоторых полупроводниковых приборов электрического и магнитного полей соответствующей геометрии с целью коррекции параметров приборов на различных технологических этапах. Установлено, что изменения параметров наблюдаются у кристаллических структур, характеризующихся нестабильностью энергетического состояния. The action results on crystal structures of some appropriate geometry semiconductor devices of electric and magnetic fields for the purpose of correction of devices parameters on different process stages have been represented. It has been found that parameters change is exhibited in crystal structures characterized by runaway of energy state. 2000 Article Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов / А.А. Ащеулов, Ю.Г. Добровольский, В.А. Безулик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 33-35. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70913 537.312.5 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Компоненты для электронной аппаратуры Компоненты для электронной аппаратуры |
| spellingShingle |
Компоненты для электронной аппаратуры Компоненты для электронной аппаратуры Ащеулов, А.А. Добровольский, Ю.Г. Безулик, В.А. Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Представлены результаты воздействия на кристаллические структуры некоторых полупроводниковых приборов электрического и магнитного полей соответствующей геометрии с целью коррекции параметров приборов на различных технологических этапах. Установлено, что изменения параметров наблюдаются у кристаллических структур, характеризующихся нестабильностью энергетического состояния. |
| format |
Article |
| author |
Ащеулов, А.А. Добровольский, Ю.Г. Безулик, В.А. |
| author_facet |
Ащеулов, А.А. Добровольский, Ю.Г. Безулик, В.А. |
| author_sort |
Ащеулов, А.А. |
| title |
Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| title_short |
Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| title_full |
Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| title_fullStr |
Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| title_full_unstemmed |
Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| title_sort |
воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2000 |
| topic_facet |
Компоненты для электронной аппаратуры |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70913 |
| citation_txt |
Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов / А.А. Ащеулов, Ю.Г. Добровольский, В.А. Безулик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 33-35. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT aŝeulovaa vozdejstvieélektričeskogoimagnitnogopolejnaparametrypoluprovodnikovyhpriborov AT dobrovolʹskijûg vozdejstvieélektričeskogoimagnitnogopolejnaparametrypoluprovodnikovyhpriborov AT bezulikva vozdejstvieélektričeskogoimagnitnogopolejnaparametrypoluprovodnikovyhpriborov |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:34Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:34Z |
| _version_ |
1796145712951459840 |