Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за трудности создания на их основе p—n-перехода и из-за малой дырочной составляющ...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70931 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 60-61. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70931 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-709312014-11-17T03:01:42Z Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах Гаркавенко, А.С. Материалы для компонентов Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за трудности создания на их основе p—n-перехода и из-за малой дырочной составляющей тока у металлов, применяемых для получения барьера. Между тем у сурьмы, ванадия, хрома и др. Эта составляющая достигает более 10²⁵ м⁻³. The opportunity of creation of effective radiating diodes is proved on the basis of semiconductors of A₂B₆ type using a Shottki's barrier. The known advantages of a high quantum exit of such semiconductors are not realized because of difficulty of creation on their basis p n-transition and small hole component of a current at metals used for reception of a barrier. Meanwhile in antimony, vanadium, chrom etc this component achieves more than 10²⁵ m⁻³. 2000 Article Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 60-61. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70931 535.34:621.362.1 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы для компонентов Материалы для компонентов |
| spellingShingle |
Материалы для компонентов Материалы для компонентов Гаркавенко, А.С. Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за трудности создания на их основе p—n-перехода и из-за малой дырочной составляющей тока у металлов, применяемых для получения барьера. Между тем у сурьмы, ванадия, хрома и др. Эта составляющая достигает более 10²⁵ м⁻³. |
| format |
Article |
| author |
Гаркавенко, А.С. |
| author_facet |
Гаркавенко, А.С. |
| author_sort |
Гаркавенко, А.С. |
| title |
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| title_short |
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| title_full |
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| title_fullStr |
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| title_full_unstemmed |
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| title_sort |
металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2000 |
| topic_facet |
Материалы для компонентов |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70931 |
| citation_txt |
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 60-61. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT garkavenkoas metallysdyročnojprovodimostʹûvizlučaûŝihpoverhnostnobarʹernyhdiodah |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:36Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:36Z |
| _version_ |
1796145714865111040 |