Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации
Рассмотрены спектральные соотношения между током и напряжением на выходе транзистора, необходимые для получения максимальной эффективности в усилителях с высоким КПД. Полученные условия являются общими для усилителей классов Е, F и других. Обосновывается введение для таких типов (классов работы) уси...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70951 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации / В.Г. Крыжановский, Ю.В. Рассохина, А.Н. Рудякова, И.Н. Шевченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 5-8. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70951 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-709512014-11-19T03:01:39Z Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации Крыжановский, В.Г. Рассохина, Ю.В. Рудякова, А.Н. Шевченко, И.Н. Проектирование. Конструирование Рассмотрены спектральные соотношения между током и напряжением на выходе транзистора, необходимые для получения максимальной эффективности в усилителях с высоким КПД. Полученные условия являются общими для усилителей классов Е, F и других. Обосновывается введение для таких типов (классов работы) усилителей обобщающего термина — полиреактивные усилители. Показана роль и значение полиреактивных усилителей ВЧ- и СВЧ- диапазонов в совершенствовании радиоэлектронной аппаратуры. The spectral ratios between current and voltage on transistor output required to obtain maximum efficiency in the high efficiency amplifier have been considered. Obtained conditions are general for E, F classes amplifiers and others. It is grounded the introduction for such types (operation classes) of summarized term amplifiers - polyreaction amplifiers. The role and significance of RF/HF/VHF polyreaction amplifiers in improvement of radioelectronical equipment has been shown. 2000 Article Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации / В.Г. Крыжановский, Ю.В. Рассохина, А.Н. Рудякова, И.Н. Шевченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 5-8. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70951 621.375:621.382.029.6.001.63 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Проектирование. Конструирование Проектирование. Конструирование |
| spellingShingle |
Проектирование. Конструирование Проектирование. Конструирование Крыжановский, В.Г. Рассохина, Ю.В. Рудякова, А.Н. Шевченко, И.Н. Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Рассмотрены спектральные соотношения между током и напряжением на выходе транзистора, необходимые для получения максимальной эффективности в усилителях с высоким КПД. Полученные условия являются общими для усилителей классов Е, F и других. Обосновывается введение для таких типов (классов работы) усилителей обобщающего термина — полиреактивные усилители. Показана роль и значение полиреактивных усилителей ВЧ- и СВЧ- диапазонов в совершенствовании радиоэлектронной аппаратуры. |
| format |
Article |
| author |
Крыжановский, В.Г. Рассохина, Ю.В. Рудякова, А.Н. Шевченко, И.Н. |
| author_facet |
Крыжановский, В.Г. Рассохина, Ю.В. Рудякова, А.Н. Шевченко, И.Н. |
| author_sort |
Крыжановский, В.Г. |
| title |
Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации |
| title_short |
Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации |
| title_full |
Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации |
| title_fullStr |
Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации |
| title_full_unstemmed |
Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации |
| title_sort |
транзисторные усилители с высоким кпд: общие условия реализации |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2000 |
| topic_facet |
Проектирование. Конструирование |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70951 |
| citation_txt |
Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации / В.Г. Крыжановский, Ю.В. Рассохина, А.Н. Рудякова, И.Н. Шевченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 5-8. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT kryžanovskijvg tranzistornyeusilitelisvysokimkpdobŝieusloviârealizacii AT rassohinaûv tranzistornyeusilitelisvysokimkpdobŝieusloviârealizacii AT rudâkovaan tranzistornyeusilitelisvysokimkpdobŝieusloviârealizacii AT ševčenkoin tranzistornyeusilitelisvysokimkpdobŝieusloviârealizacii |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:39Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:39Z |
| _version_ |
1796145716975894528 |