Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации

• Видавець: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
• Дата: 2000
• Автори: Крыжановский, В.Г., Рассохина, Ю.В., Рудякова, А.Н., Шевченко, И.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Проектирование. Конструирование
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70951
• Цитувати: Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации / В.Г. Крыжановский, Ю.В. Рассохина, А.Н. Рудякова, И.Н. Шевченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 5-8. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Рассмотрены спектральные соотношения между током и напряжением на выходе транзистора, необходимые для получения максимальной эффективности в усилителях с высоким КПД. Полученные условия являются общими для усилителей классов Е, F и других. Обосновывается введение для таких типов (классов работы) уси...