Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент
Проведен расчет интегрального кремниевого гальваномагниторекомбинационного элемента, боковая грань которого с высокой скоростью поверхностной рекомбинации представляет собой пленку поликристаллического кремния, выращенную в едином эпитаксиальном процессе с монокристаллической, а боковой гранью с н...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70954 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент / Ф.Д. Касимов, Я.Ю. Гусейнов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 16-18. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70954 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-709542014-11-19T03:01:42Z Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент Касимов, Ф.Д. Гусейнов, Я.Ю. Электронная аппаратура: исследования, разработки Проведен расчет интегрального кремниевого гальваномагниторекомбинационного элемента, боковая грань которого с высокой скоростью поверхностной рекомбинации представляет собой пленку поликристаллического кремния, выращенную в едином эпитаксиальном процессе с монокристаллической, а боковой гранью с низкой скоростью поверхностной рекомбинации является обратно смещенный p—n-переход. Теоретически и экспериментально показано, что вследствие нелинейного расширения области обедненного слоя происходит насыщение магнитной чувствительности образца в зависимости от его длины. The calculation if integrated galvanomagnetorecombination element side facet with high surface recombination rate of which represents by its polycrystalline silicon film grown in singl epitaxial process with singl-crystal film and side facet with low surface recombination rate is back bias p-n-junction has been carried out. It is shown theoretically and experimentaly that in consequence of nonlinear expantion of region of depletion coat is taking place saturation of magnetic sensitivity of sample depending on its length. 2000 Article Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент / Ф.Д. Касимов, Я.Ю. Гусейнов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 16-18. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70954 621.315.592 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Электронная аппаратура: исследования, разработки Электронная аппаратура: исследования, разработки |
| spellingShingle |
Электронная аппаратура: исследования, разработки Электронная аппаратура: исследования, разработки Касимов, Ф.Д. Гусейнов, Я.Ю. Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Проведен расчет интегрального кремниевого гальваномагниторекомбинационного элемента, боковая грань которого с высокой скоростью поверхностной рекомбинации представляет собой пленку поликристаллического кремния, выращенную в едином эпитаксиальном процессе с монокристаллической, а боковой гранью с низкой скоростью поверхностной рекомбинации является обратно смещенный p—n-переход. Теоретически и экспериментально показано, что вследствие нелинейного расширения области обедненного слоя происходит насыщение магнитной чувствительности образца в зависимости от его длины. |
| format |
Article |
| author |
Касимов, Ф.Д. Гусейнов, Я.Ю. |
| author_facet |
Касимов, Ф.Д. Гусейнов, Я.Ю. |
| author_sort |
Касимов, Ф.Д. |
| title |
Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| title_short |
Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| title_full |
Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| title_fullStr |
Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| title_full_unstemmed |
Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| title_sort |
кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2000 |
| topic_facet |
Электронная аппаратура: исследования, разработки |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70954 |
| citation_txt |
Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент / Ф.Д. Касимов, Я.Ю. Гусейнов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 16-18. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT kasimovfd kremnievyjintegralʹnyjgalʹvanomagnitorekombinacionnyjélement AT gusejnovâû kremnievyjintegralʹnyjgalʹvanomagnitorekombinacionnyjélement |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:39Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:39Z |
| _version_ |
1796145717293613056 |