Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент - Касимов, Ф.Д.; Гусейнов, Я.Ю. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2000)
Проведен расчет интегрального кремниевого гальваномагниторекомбинационного элемента, боковая грань которого с высокой скоростью поверхностной рекомбинации представляет собой пленку поликристаллического кремния, выращенную в едином эпитаксиальном процессе с монокристаллической, а боковой гранью с низкой скоростью поверхностной рекомбинации является обратно смещенный p—n-переход. Теоретически и экспериментально показано, что вследствие нелинейного расширения области обедненного слоя происходит насыщение магнитной чувствительности образца в зависимости от его длины.