Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент
Проведен расчет интегрального кремниевого гальваномагниторекомбинационного элемента, боковая грань которого с высокой скоростью поверхностной рекомбинации представляет собой пленку поликристаллического кремния, выращенную в едином эпитаксиальном процессе с монокристаллической, а боковой гранью с н...
Gespeichert in:
| Datum: | 2000 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70954 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент / Ф.Д. Касимов, Я.Ю. Гусейнов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 16-18. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |