Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния
Исследовано влияние облучения нейтронами и гамма-квантами на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния. Показано, что действие излучения в основном проявляется в изменении времени жизни неосновных носителей в базе транзистора, что приводит к изменению его коэффициента передачи ток...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70965 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния / Л.Ф. Викулина, П.Ю. Марколенко, О.Б. Шевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 50-51. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70965 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-709652014-11-19T03:01:43Z Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния Викулина, Л.Ф. Марколенко, П.Ю. Шевчук, О.Б. Технология производства Исследовано влияние облучения нейтронами и гамма-квантами на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния. Показано, что действие излучения в основном проявляется в изменении времени жизни неосновных носителей в базе транзистора, что приводит к изменению его коэффициента передачи тока и магниточувствительности. Экспериментально установлено, что гамма-излучение дозой 10⁷ Р увеличивает магниточувствительность в 3 раза, а облучение потоком нейтронов до 5·10¹² н/см² уменьшает ее в 2 раза. The influence of radiation by neutron and gamma-ray quantum on sensitivity of magnetotransistors produced from high-resistivity silicon has been investigated. It is shown that the radiation action is revealed itself basically in changing life time of charge carriers in the transistor base that causes changing its alpha coefficient and magnetosensitivity. It has been established experimentally that gamma-ray radiation by dose to 10⁷ roentgen increases magnetosensitivity a three times and radiation by neutrons flow to 5·10¹² n/sm² decreases it a two times. 2000 Article Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния / Л.Ф. Викулина, П.Ю. Марколенко, О.Б. Шевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 50-51. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70965 621.382 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технология производства Технология производства |
| spellingShingle |
Технология производства Технология производства Викулина, Л.Ф. Марколенко, П.Ю. Шевчук, О.Б. Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследовано влияние облучения нейтронами и гамма-квантами на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния. Показано, что действие излучения в основном проявляется в изменении времени жизни неосновных носителей в базе транзистора, что приводит к изменению его коэффициента передачи тока и магниточувствительности. Экспериментально установлено, что гамма-излучение дозой 10⁷ Р увеличивает магниточувствительность в 3 раза, а облучение потоком нейтронов до 5·10¹² н/см² уменьшает ее в 2 раза. |
| format |
Article |
| author |
Викулина, Л.Ф. Марколенко, П.Ю. Шевчук, О.Б. |
| author_facet |
Викулина, Л.Ф. Марколенко, П.Ю. Шевчук, О.Б. |
| author_sort |
Викулина, Л.Ф. |
| title |
Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| title_short |
Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| title_full |
Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| title_fullStr |
Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| title_full_unstemmed |
Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| title_sort |
действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2000 |
| topic_facet |
Технология производства |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70965 |
| citation_txt |
Действие радиации на чувствительность магнитотранзисторов из высокоомного кремния / Л.Ф. Викулина, П.Ю. Марколенко, О.Б. Шевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 50-51. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT vikulinalf dejstvieradiaciinačuvstvitelʹnostʹmagnitotranzistorovizvysokoomnogokremniâ AT markolenkopû dejstvieradiaciinačuvstvitelʹnostʹmagnitotranzistorovizvysokoomnogokremniâ AT ševčukob dejstvieradiaciinačuvstvitelʹnostʹmagnitotranzistorovizvysokoomnogokremniâ |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:41Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:41Z |
| _version_ |
1796145718458580992 |