Тензорезистивный эффект в поликристаллической многослойной пленке
С использованием квазиклассического приближения в рамках модифицированной модели Маядаса и Шацкеса теоретически проанализирован тензорезистивный эффект в многослойной поликристаллической пленке. Получено общее (при произвольном соотношении между толщинами слоев) и асимптотические (для толстых и тонк...
Збережено в:
Видавець: | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
---|---|
Дата: | 2010 |
Автори: | Шкурдода, Ю.А., Дехтярук, Л.В., Чорноус, А.Н. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2010
|
Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/73132 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Тензорезистивный эффект в поликристаллической многослойной пленке / Ю.А. Шкурдода, Л.В. Дехтярук, А.Н. Чорноус // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 3. — С. 579-592. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Осцилляционный гальваномагнитный эффект в многослойной пленке в условиях взаимной диффузии металлов
за авторством: Дехтярук, Л.В.
Опубліковано: (2010) -
Температурный коэффициент сопротивления мультислоев с поликристаллической структурой
за авторством: Дехтярук, Л.В., та інші
Опубліковано: (2004) -
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках
за авторством: Гулямов, Г., та інші
Опубліковано: (2013) -
Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний
за авторством: Сулаймонов, Х.М., та інші
Опубліковано: (2015) -
Dip-эффект в проводимости 2D-электронов на пленке гелия с шероховатой подложкой
за авторством: Лейдерер, П., та інші
Опубліковано: (2008)