О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл
В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан суммарный электростатический потенциал Vi(x) в системе полупроводник—вакуум—металл (ПВМ), учитывающий зарядовое состояние поверхностей полупроводника и металла до контакта. Показано, что непреры...
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2011
|
Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/73210 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл / Л.Г. Ильченко, В.В. Ильченко, В.В. Лобанов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 1. — С. 55-65. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан суммарный электростатический потенциал Vi(x) в системе полупроводник—вакуум—металл (ПВМ), учитывающий зарядовое состояние поверхностей полупроводника и металла до контакта. Показано, что непрерывность потенциала Vi(x, ΔΦ) при переходе системы ПВМ в контакт может быть сохранена при условии образования двойного электрического слоя (ДЭС) и перераспределения плотностей заряда на границах раздела в соответствии с контактной разницей потенциалов ΔΦ и толщиной ДЭС L. Независимость распределения зарядового потенциала в полупроводнике ΔV₁σ(x, ΔΦ) от L при формировании выпрямляющего контакта обусловливает стабильность высоты h(ΔΦ) = ΔV₁σ (x = 0, ΔΦ) запорного слоя во всей плоскости контакта, тогда как высота потенциального барьера V₂ (x, ΔΦ) внутри вакуумной щели увеличивается с увеличением L в соответствии с распределением потенциала сил изображения V₂0(x) в ней. |
---|