О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл

В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан суммарный электростатический потенциал Vi(x) в системе полупроводник—вакуум—металл (ПВМ), учитывающий зарядовое состояние поверхностей полупроводника и металла до контакта. Показано, что непреры...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автори: Ильченко, Л.Г., Ильченко, В.В., Лобанов, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
Назва видання:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/73210
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл / Л.Г. Ильченко, В.В. Ильченко, В.В. Лобанов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 1. — С. 55-65. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан суммарный электростатический потенциал Vi(x) в системе полупроводник—вакуум—металл (ПВМ), учитывающий зарядовое состояние поверхностей полупроводника и металла до контакта. Показано, что непрерывность потенциала Vi(x, ΔΦ) при переходе системы ПВМ в контакт может быть сохранена при условии образования двойного электрического слоя (ДЭС) и перераспределения плотностей заряда на границах раздела в соответствии с контактной разницей потенциалов ΔΦ и толщиной ДЭС L. Независимость распределения зарядового потенциала в полупроводнике ΔV₁σ(x, ΔΦ) от L при формировании выпрямляющего контакта обусловливает стабильность высоты h(ΔΦ) = ΔV₁σ (x = 0, ΔΦ) запорного слоя во всей плоскости контакта, тогда как высота потенциального барьера V₂ (x, ΔΦ) внутри вакуумной щели увеличивается с увеличением L в соответствии с распределением потенциала сил изображения V₂0(x) в ней.