Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов

• Дата: 2011
• Автори: Батаев, М., Батаев, Ю., Бриллсон, Л.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
• Назва видання: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/73395
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов / М. Батаев, Ю. Батаев, Л. Бриллсон // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 1. — С. 85-92. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Деградация транзисторов под влиянием протонного облучения с энергией 1,8 МэВ измерялась до плотности протонного излучения 3⋅10¹⁵ см⁻². Структуры c высокой электронной подвижностью на основе AlGaN/AlN/GaN имеют более высокое значение электронной мобильности, чем структуры на основе AlGaN/GaN, и обладают более высокой радиационной стойкостью с отсутствием затухания электрических свойств до значения интегральной плотности потока протонов 10¹⁴ см⁻². Измеряемые электрофизические параметры транзисторных структур продемонстрировали уменьшение максимальной крутизны ВАХ, увеличение порогового тока и уменьшение тока насыщения. Основными механизмами деградации структур под влиянием протонного излучения являются уменьшение подвижности носителей вследствие увеличения рассеяния носителей на границе и уменьшение плотности носителей в канале в результате перемещения носителей на глубокие уровни из зоны проводимости.