Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si

• Дата: 2011
• Автори: Фокин, Д.А., Божко, С.И., Dubost, V., Debontridder, F., Ионов, А.М., Cren, T., Roditchev, D.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
• Назва видання: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/74448
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si / Д.А. Фокин, С.И. Божко, V. Dubost, F. Debontridder, А.М. Ионов, T. Cren, D. Roditchev // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 333-341. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Выполнены исследования особенностей формирования металлических наноостровков Pb на поверхности кремния методом сканирующей туннельной микроскопии. Показано, что рост наноостровков Pb на поверхности Si происходит в рамках модели Странски—Крастанова; вместе с тем формирование островков сопровождается их расслоением с характерным масштабом 2 нм (7 монослоёв Pb). Обнаруженное явление рассматривается в связи с минимизацией энергии в квантовых ямах, образующихся вследствие эффекта квантовой локализации, и объясняется в рамках модели электронного роста.