Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si
Выполнены исследования особенностей формирования металлических наноостровков Pb на поверхности кремния методом сканирующей туннельной микроскопии. Показано, что рост наноостровков Pb на поверхности Si происходит в рамках модели Странски—Крастанова; вместе с тем формирование островков сопровождается...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/74448 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si / Д.А. Фокин, С.И. Божко, V. Dubost, F. Debontridder, А.М. Ионов, T. Cren, D. Roditchev // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 333-341. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-74448 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-744482015-01-21T03:01:59Z Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si Фокин, Д.А. Божко, С.И. Dubost, V. Debontridder, F. Ионов, А.М. Cren, T. Roditchev, D. Выполнены исследования особенностей формирования металлических наноостровков Pb на поверхности кремния методом сканирующей туннельной микроскопии. Показано, что рост наноостровков Pb на поверхности Si происходит в рамках модели Странски—Крастанова; вместе с тем формирование островков сопровождается их расслоением с характерным масштабом 2 нм (7 монослоёв Pb). Обнаруженное явление рассматривается в связи с минимизацией энергии в квантовых ямах, образующихся вследствие эффекта квантовой локализации, и объясняется в рамках модели электронного роста. Виконано дослідження особливостей формування металевих наноострівців Pb на поверхні кремнію методою сканівної тунельної мікроскопії. Показано, що ріст наноострівців Pb на поверхні Si відбувається в рамках моделю Странскі—Крастанова; разом з тим формування острівців супроводжується їх розшаруванням з характерним масштабом 2 нм (7 моношарів Pb). Виявлене явище розглядається в зв’язку з мінімізацією енергії в квантових ямах, які утворюються внаслідок ефекту квантової локалізації, та пояснюються в рамках моделю електронного росту. We report on Pb-islands growth on a surface of silicon. Using the scanning tunnelling microscopy, we show that, while in general the growth follows the Stranski—Krastanov scenario, the formation of Pb islands is accompanied by their lamination with a characteristic scale of two nanometers (7 monolayers of Pb). Such an effect manifests the energy minimum in quantum wells due to the quantum confinement, and it can be explained within the scope of the electronic-growth model. 2011 Article Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si / Д.А. Фокин, С.И. Божко, V. Dubost, F. Debontridder, А.М. Ионов, T. Cren, D. Roditchev // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 333-341. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 61.05.jh, 68.35.Dv, 68.37.Ef, 68.55.ag, 68.65.Fg, 81.07.St, 82.80.Pv http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/74448 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Выполнены исследования особенностей формирования металлических наноостровков Pb на поверхности кремния методом сканирующей туннельной микроскопии. Показано, что рост наноостровков Pb на поверхности Si происходит в рамках модели Странски—Крастанова; вместе с тем формирование островков сопровождается их расслоением с характерным масштабом 2 нм (7 монослоёв Pb). Обнаруженное явление рассматривается в связи с минимизацией энергии в квантовых ямах, образующихся вследствие эффекта квантовой локализации, и объясняется в рамках модели электронного роста. |
| format |
Article |
| author |
Фокин, Д.А. Божко, С.И. Dubost, V. Debontridder, F. Ионов, А.М. Cren, T. Roditchev, D. |
| spellingShingle |
Фокин, Д.А. Божко, С.И. Dubost, V. Debontridder, F. Ионов, А.М. Cren, T. Roditchev, D. Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| author_facet |
Фокин, Д.А. Божко, С.И. Dubost, V. Debontridder, F. Ионов, А.М. Cren, T. Roditchev, D. |
| author_sort |
Фокин, Д.А. |
| title |
Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si |
| title_short |
Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si |
| title_full |
Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si |
| title_fullStr |
Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si |
| title_full_unstemmed |
Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si |
| title_sort |
электронный рост нанообъектов pb на поверхностях si |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| publishDate |
2011 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/74448 |
| citation_txt |
Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si / Д.А. Фокин, С.И. Божко, V. Dubost, F. Debontridder, А.М. Ионов, T. Cren, D. Roditchev // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 333-341. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| series |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| work_keys_str_mv |
AT fokinda élektronnyjrostnanoobʺektovpbnapoverhnostâhsi AT božkosi élektronnyjrostnanoobʺektovpbnapoverhnostâhsi AT dubostv élektronnyjrostnanoobʺektovpbnapoverhnostâhsi AT debontridderf élektronnyjrostnanoobʺektovpbnapoverhnostâhsi AT ionovam élektronnyjrostnanoobʺektovpbnapoverhnostâhsi AT crent élektronnyjrostnanoobʺektovpbnapoverhnostâhsi AT roditchevd élektronnyjrostnanoobʺektovpbnapoverhnostâhsi |
| first_indexed |
2023-10-18T19:07:21Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:07:21Z |
| _version_ |
1796146062748024832 |