Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника
В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан структурный потенциал ΔVjst (r) в системе полупроводник—вакуум—металл, который обусловлен атомной (микроскопической) структурой каждой из поверхностей. Взаимосвязь между полупроводником и металл...
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2011
|
Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/74452 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника / Л.Г. Ильченко, В.В. Ильченко, В.В. Лобанов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 313-324. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан структурный потенциал ΔVjst (r) в системе полупроводник—вакуум—металл, который обусловлен атомной (микроскопической) структурой каждой из поверхностей. Взаимосвязь между полупроводником и металлом, которая обусловлена экранированием поверхностного заряда полупроводника свободными электронами близко расположенного металла и усилена образованием потенциального барьера в вакуумном промежутке при L < 10 нм, существенно возрастает с уменьшением его толщины L < 0,1 нм. Показано, что рассчитанный структурный потенциал ΔVjst (r), который является суперпозицией вкладов микроскопической структуры каждой из двух поверхностей, является несимметричным и обусловливает не только локальное изменение высоты потенциального барьера в вакуумной щели, но и латеральное изменение суммарного потенциала Vj (r) на поверхности полупроводника и в его приповерхностной области. |
---|