Рентґенова динамічна дифрактометрія дефектної структури монокристалів ґранатів

Створено теоретичну базу сучасної кристалографії реальних монокристалів зі складним базисом, яка враховує наявність різних структурних дефектів і дозволяє самоузгодженим чином описувати когерентну і дифузну складові дифракційних картин від таких кристалів. Розраховано комплексні структурні фактори і...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2011
Hauptverfasser: Пилипів, В.М., Остафійчук, Б.К., Владімірова, Т.П., Кисловський, Є.М., Молодкін, В.Б., Оліховський, С.Й., Решетник, О.В., Скакунова, О.С., Лізунова, С.В.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
Schriftenreihe:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/74476
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Рентґенова динамічна дифрактометрія дефектної структури монокристалів ґранатів / В.М. Пилипів, Б.К. Остафійчук, Т.П. Владімірова, Є.М. Кисловський, В.Б. Молодкін, С.Й. Оліховський, О.В. Решетник, О.С. Скакунова, С.В. Лізунова // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 375-408. — Бібліогр.: 110 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Створено теоретичну базу сучасної кристалографії реальних монокристалів зі складним базисом, яка враховує наявність різних структурних дефектів і дозволяє самоузгодженим чином описувати когерентну і дифузну складові дифракційних картин від таких кристалів. Розраховано комплексні структурні фактори і Фур’є-компоненти поляризовности досконалого кристалу ґадоліній-ґалійового ґранату Gd₃Ga₅O₁₂ (ҐҐҐ) для набору рефлексів і двох характеристичних довжин хвиль Рентґенового випромінення. Досліджено залежності цих дифракційних параметрів від концентрацій антиструктурних дефектів і вакансій. Шляхом аналізи виміряних кривих дифракційного відбивання з використанням формул статистичної динамічної теорії дифракції в неідеальних кристалах встановлено характеристики як точкових дефектів, так і мікродефектів, а також відповідні їм дифракційні параметри досліджуваного монокристалу ҐҐҐ.