2025-02-24T07:31:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-74485%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T07:31:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-74485%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T07:31:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-24T07:31:36-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники
Изучено влияние режимов ионной имплантации и постимплантационных термообработок на структурные и оптические свойства кремниевой матрицы ионносинтезированными нанокластерами InAs и GaSb. Показано, что введением геттера, а также изменением температуры подложки и флюенса ионов, температуры и длительнос...
Saved in:
Main Authors: | , , , , , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2011
|
Series: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/74485 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Summary: | Изучено влияние режимов ионной имплантации и постимплантационных термообработок на структурные и оптические свойства кремниевой матрицы ионносинтезированными нанокластерами InAs и GaSb. Показано, что введением геттера, а также изменением температуры подложки и флюенса ионов, температуры и длительности последующего отжига удаётся сформировать нанокластеры InAs и GaSb с размерами 2—80 нм и создать различную концентрацию и форму глубинных распределений вторичных дефектов структуры. Последний фактор обусловливает появление линий дислокационной люминесценции D1, D2 и D4 с энергией квантов 0,807, 0,87 и 0,997 эВ. |
---|