Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники
Изучено влияние режимов ионной имплантации и постимплантационных термообработок на структурные и оптические свойства кремниевой матрицы ионносинтезированными нанокластерами InAs и GaSb. Показано, что введением геттера, а также изменением температуры подложки и флюенса ионов, температуры и длительнос...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/74485 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники / Ф.Ф. Комаров, Л.А. Власукова, О.В. Мильчанин, А.Ф. Комаров, А.В. Мудрый, Б.С. Дунец // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 355-363. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-74485 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-744852015-01-22T03:01:47Z Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники Комаров, Ф.Ф. Власукова, Л.А. Мильчанин, О.В. Комаров, А.Ф. Мудрый, А.В. Дунец, Б.С. Изучено влияние режимов ионной имплантации и постимплантационных термообработок на структурные и оптические свойства кремниевой матрицы ионносинтезированными нанокластерами InAs и GaSb. Показано, что введением геттера, а также изменением температуры подложки и флюенса ионов, температуры и длительности последующего отжига удаётся сформировать нанокластеры InAs и GaSb с размерами 2—80 нм и создать различную концентрацию и форму глубинных распределений вторичных дефектов структуры. Последний фактор обусловливает появление линий дислокационной люминесценции D1, D2 и D4 с энергией квантов 0,807, 0,87 и 0,997 эВ. Вивчено вплив режимів йонної імплантації та постімплантаційних термооброблень на структурні і оптичні властивості кремнійової матриці йонносинтезованими нанокластерами InAs і GaSb. Показано, що введенням ґетера, а також зміною температури підложжя та флюєнсу йонів, температури та тривалости наступного відпалу вдається сформувати нанокластери InAs і GaSb з розмірами 2—80 нм та створити різну концентрацію і форму глибинних розподілів вторинних дефектів структури. Останній фактор обумовлює появу ліній дислокаційної люмінесценції D1, D2 і D4 з енергією квантів 0,807, 0,87 і 0,997 еВ. The influence of ion implantation and post-implantation annealing behaviours on the structural and optical properties of silicon matrix with ion-beam synthesized InAs and GaSb nanocrystals is studied. As demonstrated, by introducing getter, varying the ion-implantation temperature, ion fluence, and post-implantation annealing duration and temperature, it is possible to form InAs and GaSb nanocrystals in the range of sizes of 2—80 nm and create various concentrations and distributions of secondary defects. The last factor causes the appearance of dislocation luminescence lines, D1, D2 and D4, at 0.807, 0.87 and 0.997 eV, respectively. 2011 Article Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники / Ф.Ф. Комаров, Л.А. Власукова, О.В. Мильчанин, А.Ф. Комаров, А.В. Мудрый, Б.С. Дунец // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 355-363. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 61.72.uj, 68.37.Lp, 78.30.Fs, 78.55.Cr, 79.20.Rf, 81.07.Bc, 81.40.Wx http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/74485 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Изучено влияние режимов ионной имплантации и постимплантационных термообработок на структурные и оптические свойства кремниевой матрицы ионносинтезированными нанокластерами InAs и GaSb. Показано, что введением геттера, а также изменением температуры подложки и флюенса ионов, температуры и длительности последующего отжига удаётся сформировать нанокластеры InAs и GaSb с размерами 2—80 нм и создать различную концентрацию и форму глубинных распределений вторичных дефектов структуры. Последний фактор обусловливает появление линий дислокационной люминесценции D1, D2 и D4 с энергией квантов 0,807, 0,87 и 0,997 эВ. |
| format |
Article |
| author |
Комаров, Ф.Ф. Власукова, Л.А. Мильчанин, О.В. Комаров, А.Ф. Мудрый, А.В. Дунец, Б.С. |
| spellingShingle |
Комаров, Ф.Ф. Власукова, Л.А. Мильчанин, О.В. Комаров, А.Ф. Мудрый, А.В. Дунец, Б.С. Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| author_facet |
Комаров, Ф.Ф. Власукова, Л.А. Мильчанин, О.В. Комаров, А.Ф. Мудрый, А.В. Дунец, Б.С. |
| author_sort |
Комаров, Ф.Ф. |
| title |
Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники |
| title_short |
Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники |
| title_full |
Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники |
| title_fullStr |
Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники |
| title_full_unstemmed |
Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники |
| title_sort |
ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников а³в⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| publishDate |
2011 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/74485 |
| citation_txt |
Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А³В⁵ в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники / Ф.Ф. Комаров, Л.А. Власукова, О.В. Мильчанин, А.Ф. Комаров, А.В. Мудрый, Б.С. Дунец // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 355-363. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| series |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| work_keys_str_mv |
AT komarovff ionnyjsinteznanokristallovuzkozonnyhpoluprovodnikova3v5vkremnievojmatricedlâsistemoptoélektroniki AT vlasukovala ionnyjsinteznanokristallovuzkozonnyhpoluprovodnikova3v5vkremnievojmatricedlâsistemoptoélektroniki AT milʹčaninov ionnyjsinteznanokristallovuzkozonnyhpoluprovodnikova3v5vkremnievojmatricedlâsistemoptoélektroniki AT komarovaf ionnyjsinteznanokristallovuzkozonnyhpoluprovodnikova3v5vkremnievojmatricedlâsistemoptoélektroniki AT mudryjav ionnyjsinteznanokristallovuzkozonnyhpoluprovodnikova3v5vkremnievojmatricedlâsistemoptoélektroniki AT dunecbs ionnyjsinteznanokristallovuzkozonnyhpoluprovodnikova3v5vkremnievojmatricedlâsistemoptoélektroniki |
| first_indexed |
2023-10-18T19:07:24Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:07:24Z |
| _version_ |
1796146064457203712 |