2025-02-23T18:09:10-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-75147%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T18:09:10-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-75147%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T18:09:10-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T18:09:10-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности

В работе используется квазиодномерная система поверхностных электронов (ПЭ) над сверхтекучим гелием в качестве классической модели твердотельного квантового проводника. Выполнены экспериментальные исследования кинетики поведения электронов в узких каналах в присутствии заряда на подложке. Ход темпер...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Николаенко, В.А., Смородин, А.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
Series:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75147
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:В работе используется квазиодномерная система поверхностных электронов (ПЭ) над сверхтекучим гелием в качестве классической модели твердотельного квантового проводника. Выполнены экспериментальные исследования кинетики поведения электронов в узких каналах в присутствии заряда на подложке. Ход температурной зависимости в этих условиях имеет ступенчатый характер при температуре ниже 1,3 К, и параметры ступеней в различных опытах отличаются. Подобный характер зависимости не описывается классическими моделями переноса заряда, где учитывается рассеяние электронов в каналах на атомах гелия в паре и рипплонах. Предполагается, что подобная зависимость является проявлением квантового характера переноса в электронных каналах.