Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si

The paper is devoted to the technological peculiarities of growing the A²B⁶ needle crystals the solid solutions on its basis as well as silicon crystals originally developed and realized by the author. Physical properties of these materials are explored in dependence on composition and form of growt...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автор: Витрихівський, М.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Західний науковий центр НАН України і МОН України 2011
Назва видання:Праці наукового товариства ім. Шевченка
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75285
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si / М. Витрихівський // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 305-308. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-75285
record_format dspace
spelling irk-123456789-752852015-02-03T19:42:36Z Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si Витрихівський, М. Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників" The paper is devoted to the technological peculiarities of growing the A²B⁶ needle crystals the solid solutions on its basis as well as silicon crystals originally developed and realized by the author. Physical properties of these materials are explored in dependence on composition and form of growth. These crystals may be used in quantum electronics. 2011 Article Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si / М. Витрихівський // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 305-308. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. 1563-3569 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75285 uk Праці наукового товариства ім. Шевченка Західний науковий центр НАН України і МОН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
spellingShingle Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
Витрихівський, М.
Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
Праці наукового товариства ім. Шевченка
description The paper is devoted to the technological peculiarities of growing the A²B⁶ needle crystals the solid solutions on its basis as well as silicon crystals originally developed and realized by the author. Physical properties of these materials are explored in dependence on composition and form of growth. These crystals may be used in quantum electronics.
format Article
author Витрихівський, М.
author_facet Витрихівський, М.
author_sort Витрихівський, М.
title Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
title_short Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
title_full Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
title_fullStr Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
title_full_unstemmed Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
title_sort голчастi кристали напівпровідників a²b⁶ i si
publisher Західний науковий центр НАН України і МОН України
publishDate 2011
topic_facet Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75285
citation_txt Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si / М. Витрихівський // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 305-308. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.
series Праці наукового товариства ім. Шевченка
work_keys_str_mv AT vitrihívsʹkijm golčastikristalinapívprovídnikíva2b6isi
first_indexed 2023-10-18T19:09:10Z
last_indexed 2023-10-18T19:09:10Z
_version_ 1796146144117522432