Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами
The computational method of current voltage characteristics of metal undoped semiconductor (i) - doped semiconductor substrate (n)+ structure with clusters of defects is described. The offered method permits to take into account the elastic deformations near the defect deformation structures and the...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Західний науковий центр НАН України і МОН України
2011
|
| Назва видання: | Праці наукового товариства ім. Шевченка |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75363 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами / Р. Пелещак, О. Даньків, О. Кузик // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 361-372. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | The computational method of current voltage characteristics of metal undoped semiconductor (i) - doped semiconductor substrate (n)+ structure with clusters of defects is described. The offered method permits to take into account the elastic deformations near the defect deformation structures and the deformations caused by a mismatch of crystal lattices of contacting semiconductor materials. |
|---|