Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів

Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів

За допомогою метод функціоналу електронної густини та псевдопотенціялу із перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів і електронні спектри епітаксійних гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/CdTe та Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/ZnS. Визначено зменшення густини електронного...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Дата:2012
Автор: Балабай, Р.М.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2012
Назва видання:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75889
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів / Р.М. Балабай // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 4. — С. 847-857. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-75889
record_format dspace
spelling irk-123456789-758892018-07-12T17:37:40Z Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів Балабай, Р.М. За допомогою метод функціоналу електронної густини та псевдопотенціялу із перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів і електронні спектри епітаксійних гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/CdTe та Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/ZnS. Визначено зменшення густини електронного заряду в шарах CdTe та ZnS, що покривають плівку CdхHg1-xTe (ізолювальний ефект). Визначено наявність потенціяльних бар’єрів на роздільчій межі шарів CdTe та CdхHg1-xTe (х = 0,2), а також ZnS та CdхHg1-xTe (х = 0,2). The valence-electrons’ density distributions and the electronic energy spectra for the epitaxial Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0.2)/CdTe and Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0.2)/ZnS heterostructures are calculated by the methods of the density functional theory and the pseudopotential construction from the first principles. Reduction of the electron-charge density within the CdTe (or ZnS) layers covering the CdхHg1-xTe film (an insulating effect) is observed. The presence of the potential barriers on the interface of the CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0.2) or ZnS/CdхHg1-xTe (х = 0.2) layers is revealed. При помощи методов функционала электронной плотности и псевдопотенциала из первых принципов рассчитаны распределения плотности валентных электронов и электронные спектры эпитаксиальных гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/CdTe и Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х - 0,2)/ZnS. Определено уменьшение плотности электронного заряда в слоях CdTe и ZnS, которые покрывают плёнку CdхHg1-xTe (изолирующий эффект). Обнаружено наличие потенциальных барьеров на границе раздела слоёв CdTe та CdхHg1-xTe (х = 0,2), а также ZnS и CdхHg1-xTe (х = 0,2). 2012 Article Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів / Р.М. Балабай // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 4. — С. 847-857. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. 1816-5230 PACSnumbers:71.15.Dx,71.15.Mb,71.15.Pd,71.18.+y,71.20.Nr,71.55.Gs,81.65.Rv http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75889 uk Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description За допомогою метод функціоналу електронної густини та псевдопотенціялу із перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів і електронні спектри епітаксійних гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/CdTe та Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/ZnS. Визначено зменшення густини електронного заряду в шарах CdTe та ZnS, що покривають плівку CdхHg1-xTe (ізолювальний ефект). Визначено наявність потенціяльних бар’єрів на роздільчій межі шарів CdTe та CdхHg1-xTe (х = 0,2), а також ZnS та CdхHg1-xTe (х = 0,2).
format Article
author Балабай, Р.М.
spellingShingle Балабай, Р.М.
Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
author_facet Балабай, Р.М.
author_sort Балабай, Р.М.
title Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
title_short Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
title_full Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
title_fullStr Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
title_full_unstemmed Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
title_sort пасивація епітаксійних структур cdhgte: розрахунки із перших принципів
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate 2012
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75889
citation_txt Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів / Р.М. Балабай // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 4. — С. 847-857. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.
series Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
work_keys_str_mv AT balabajrm pasivacíâepítaksíjnihstrukturcdhgterozrahunkiízperšihprincipív
first_indexed 2023-10-18T19:10:38Z
last_indexed 2023-10-18T19:10:38Z
_version_ 1796146208777961472

Схожі ресурси