Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se

• Дата: 2013
• Автори: Бобик, М.Ю., Іваницький, В.П., Ковтуненко, В.С., Сабов, В.І.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
• Назва видання: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75899
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se / М.Ю. Бобик, В.П. Іваницький, В.С. Ковтуненко, В.І. Сабов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 1. — С. 73-88. — Бібліогр.: 20 назв. — укр.

Поєднанням метод електронної й атомно-силової мікроскопії визначено кількісні параметри наноструктури аморфних плівок системи Ge—Se: розміри неоднорідностей, висоту виступів та глибину впадин рельєфу поверхні, діаметри зерен або стовпчиків, розміри каналів між стовпчиками, розміри нанопор, ступінь нанопористости. Встановлено, що нанонеоднорідності реалізуються завдяки наявності рельєфу поверхні досліджуваних зразків та їх нанопористости.