Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se
Поєднанням метод електронної й атомно-силової мікроскопії визначено кількісні параметри наноструктури аморфних плівок системи Ge—Se: розміри неоднорідностей, висоту виступів та глибину впадин рельєфу поверхні, діаметри зерен або стовпчиків, розміри каналів між стовпчиками, розміри нанопор, ступінь...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75899 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se / М.Ю. Бобик, В.П. Іваницький, В.С. Ковтуненко, В.І. Сабов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 1. — С. 73-88. — Бібліогр.: 20 назв. — укр. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-75899 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-758992015-02-06T03:02:22Z Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se Бобик, М.Ю. Іваницький, В.П. Ковтуненко, В.С. Сабов, В.І. Поєднанням метод електронної й атомно-силової мікроскопії визначено кількісні параметри наноструктури аморфних плівок системи Ge—Se: розміри неоднорідностей, висоту виступів та глибину впадин рельєфу поверхні, діаметри зерен або стовпчиків, розміри каналів між стовпчиками, розміри нанопор, ступінь нанопористости. Встановлено, що нанонеоднорідності реалізуються завдяки наявності рельєфу поверхні досліджуваних зразків та їх нанопористости. The quantitative parameters of Ge—Se amorphous films nanostructure: heterogeneity sizes, bumps heights and hollows depths of surface relief, diameters of grains or columns, the channels widths, nanopores size, degree of nanoporosity are determined by combination of both the electron microscopy and the atomic force microscopy. As revealed, the nanoinhomogeneities are realized due to the topography of the samples and their nanoporosity. Сочетанием методов электронной и атомно-силовой микроскопии определены количественные параметры наноструктуры аморфных плёнок системы Ge—Se: размеры неоднородностей, высота выступов и глубина впадин рельефа поверхности, диаметры зёрен или столбиков, размеры каналов между столбиками, размеры нанопор, степень нанопористости. Установлено, что нанонеоднородности реализуются благодаря наличию рельефа поверхности исследуемых образцов и их нанопористости. 2013 Article Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se / М.Ю. Бобик, В.П. Іваницький, В.С. Ковтуненко, В.І. Сабов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 1. — С. 73-88. — Бібліогр.: 20 назв. — укр. 1816-5230 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75899 PACSnumbers:07.78.+s,07.79.-v,61.05.J-,61.43.Er,68.37.Lp,87.64.Bx,87.64.Ee uk Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Поєднанням метод електронної й атомно-силової мікроскопії визначено
кількісні параметри наноструктури аморфних плівок системи Ge—Se: розміри неоднорідностей, висоту виступів та глибину впадин рельєфу поверхні, діаметри зерен або стовпчиків, розміри каналів між стовпчиками,
розміри нанопор, ступінь нанопористости. Встановлено, що нанонеоднорідності реалізуються завдяки наявності рельєфу поверхні досліджуваних зразків та їх нанопористости. |
| format |
Article |
| author |
Бобик, М.Ю. Іваницький, В.П. Ковтуненко, В.С. Сабов, В.І. |
| spellingShingle |
Бобик, М.Ю. Іваницький, В.П. Ковтуненко, В.С. Сабов, В.І. Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| author_facet |
Бобик, М.Ю. Іваницький, В.П. Ковтуненко, В.С. Сабов, В.І. |
| author_sort |
Бобик, М.Ю. |
| title |
Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se |
| title_short |
Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se |
| title_full |
Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se |
| title_fullStr |
Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se |
| title_full_unstemmed |
Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se |
| title_sort |
кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи ge—se |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| publishDate |
2013 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75899 |
| citation_txt |
Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної
структури аморфних плівок системи Ge—Se / М.Ю. Бобик, В.П. Іваницький, В.С. Ковтуненко, В.І. Сабов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 1. — С. 73-88. — Бібліогр.: 20 назв. — укр. |
| series |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| work_keys_str_mv |
AT bobikmû kílʹkísníparametristohastičnonanoneodnorídnoístrukturiamorfnihplívoksistemigese AT ívanicʹkijvp kílʹkísníparametristohastičnonanoneodnorídnoístrukturiamorfnihplívoksistemigese AT kovtunenkovs kílʹkísníparametristohastičnonanoneodnorídnoístrukturiamorfnihplívoksistemigese AT sabovví kílʹkísníparametristohastičnonanoneodnorídnoístrukturiamorfnihplívoksistemigese |
| first_indexed |
2023-10-18T19:10:39Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:10:39Z |
| _version_ |
1796146209851703296 |