Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se

• Дата: 2013
• Автори: Бобик, М.Ю., Іваницький, В.П., Ковтуненко, В.С., Сабов, В.І.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
• Назва видання: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75899
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Кількісні параметри стохастично нанонеоднорідної структури аморфних плівок системи Ge—Se / М.Ю. Бобик, В.П. Іваницький, В.С. Ковтуненко, В.І. Сабов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 1. — С. 73-88. — Бібліогр.: 20 назв. — укр.

Поєднанням метод електронної й атомно-силової мікроскопії визначено кількісні параметри наноструктури аморфних плівок системи Ge—Se: розміри неоднорідностей, висоту виступів та глибину впадин рельєфу поверхні, діаметри зерен або стовпчиків, розміри каналів між стовпчиками, розміри нанопор, ступінь...