Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома
В рамках концепции «снизу–вверх» наноэлектроники рассмотрены общие вопросы электронной проводимости, причины возникновения тока, роль электрохимических потенциалов, функций Ферми и фермиевского окна проводимости, модель упругого резистора, различные режимы транспорта электронов, моды проводимости,...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75910 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома / Ю.А. Кругляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 3. — С. 519-549. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-75910 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-759102015-02-07T03:01:52Z Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома Кругляк, Ю.А. В рамках концепции «снизу–вверх» наноэлектроники рассмотрены общие вопросы электронной проводимости, причины возникновения тока, роль электрохимических потенциалов, функций Ферми и фермиевского окна проводимости, модель упругого резистора, различные режимы транспорта электронов, моды проводимости, коэффициент прохождения. Изложена обобщённая модель транспорта электронов в режиме линейного отклика, развитая Р. Ландауэром, С. Даттой и М. Лундстромом применительно к проводникам любой размерности, любого масштаба и произвольной дисперсии, работающих в баллистическом, квазибаллистическом или диффузионном режиме. В межах концепції «знизу–вгору» наноелектроніки розглянуто загальні питання електронної провідности, причини виникнення струму, роль електрохімічних потенціалів, функцій Фермі і Фермівського вікна провідности, модель пружнього резистора, різні режими транспорту електронів, моди провідности, коефіцієнт проходження. Викладено узагальнену модель транспорту електронів у режимі лінійного відгуку, розвинену Р. Ландауером, С. Даттой і М. Лундстромом стосовно провідників будь-якої вимірности, будь-якого масштабу і довільної дисперсії, що працюють у балістичному, квазибалістичному або дифузійному режимі. Generalissues of electronic conductivity and the causes of the current flow, role of electrochemical potentials, Fermi functions, and Fermi window for conduction, elastic-resistor model, different electron-transport regimes, conductivity modes, and transmission coefficient are discussed within the scope of the ‘bottom–up’ approach of modern nanoelectronics. Generalized model of electron transport in the linear-response regime developed by R. Landauer, S. Datta, and M. Lundstrom with application to the resistors of any dimension, any size scale, and arbitrary dispersionoperating in ballistic, quasi-ballistic or diffusion regime is summarized. 2013 Article Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома / Ю.А. Кругляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 3. — С. 519-549. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. 1816-5230 PACSnumbers:71.15.Mb,72.10.Bg,73.22.Dj,73.23.Ad,73.63.-b,84.32.Ff,85.35.-p http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75910 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
В рамках концепции «снизу–вверх» наноэлектроники рассмотрены общие
вопросы электронной проводимости, причины возникновения тока, роль
электрохимических потенциалов, функций Ферми и фермиевского окна проводимости, модель упругого резистора, различные режимы транспорта электронов, моды проводимости, коэффициент прохождения. Изложена обобщённая модель транспорта электронов в режиме линейного отклика, развитая Р.
Ландауэром, С. Даттой и М. Лундстромом применительно к проводникам любой размерности, любого масштаба и произвольной дисперсии, работающих в
баллистическом, квазибаллистическом или диффузионном режиме. |
| format |
Article |
| author |
Кругляк, Ю.А. |
| spellingShingle |
Кругляк, Ю.А. Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| author_facet |
Кругляк, Ю.А. |
| author_sort |
Кругляк, Ю.А. |
| title |
Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома |
| title_short |
Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома |
| title_full |
Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома |
| title_fullStr |
Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома |
| title_full_unstemmed |
Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома |
| title_sort |
обобщённая модель электронного транспорта ландауэра–датты–лундстрома |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| publishDate |
2013 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75910 |
| citation_txt |
Обобщённая модель электронного транспорта
Ландауэра–Датты–Лундстрома / Ю.А. Кругляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 3. — С. 519-549. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
| series |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| work_keys_str_mv |
AT kruglâkûa obobŝënnaâmodelʹélektronnogotransportalandauéradattylundstroma |
| first_indexed |
2023-10-18T19:10:41Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:10:41Z |
| _version_ |
1796146211029254144 |