2025-02-23T17:47:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-75913%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T17:47:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-75913%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T17:47:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T17:47:55-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Образование связности (перколяции) экситонов в плотных и разреженных массивах квантовых точек в матрицах разной топологии

Образование связности (перколяции) экситонов в плотных и разреженных массивах квантовых точек в матрицах разной топологии

В первой части статьи объясняются различия между геометрической и квантовой перколяциями носителей заряда или экситонов в плотных и разрежённых массивах квантовых точек II–VI-полупроводников, выращенных в 3D-матрицах или на сферических подложках. Показаны также различия в экспериментальных метода...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Бондарь, Н.В., Бродин, М.С., Ермолаева, Ю.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2013
Series:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75913
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:В первой части статьи объясняются различия между геометрической и квантовой перколяциями носителей заряда или экситонов в плотных и разрежённых массивах квантовых точек II–VI-полупроводников, выращенных в 3D-матрицах или на сферических подложках. Показаны также различия в экспериментальных методах регистрации порога протекания экситонов в 3D-матрицах с металлическими и полупроводниковыми включениями. Во второй части представлены данные, которые показывают, что в массивах с квантовыми точками ZnO и CdS, выращенных на сферах диоксида кремния SiO2 , существуют два порога перколяции экситонов. Это явление напоминает то, которое наблюдалось в другой системе, а именно в ионных проводниках с небольшими включениями диэлектрической фазы. На основании полученных результатов дано обоснование физической природы этого явления.

Similar Items