Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами

Исследованы полевые зависимости низкотемпературного (Т = 4,2 К) латерального магнитосопротивления гетероструктур с квантовыми ямами и селективным легированием в области ям. Концентрация примеси в квантовых ямах изменялась в пределах (1–7)∙10¹¹ см⁻² . Выполнен анализ экспериментальных результатов в р...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Вайнберг, В.В., Пилипчук, А.С., Порошин В.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
Назва видання:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75945
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами / В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 19-28. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-75945
record_format dspace
spelling irk-123456789-759452016-10-14T13:11:57Z Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами Вайнберг, В.В. Пилипчук, А.С. Порошин В.Н. Исследованы полевые зависимости низкотемпературного (Т = 4,2 К) латерального магнитосопротивления гетероструктур с квантовыми ямами и селективным легированием в области ям. Концентрация примеси в квантовых ямах изменялась в пределах (1–7)∙10¹¹ см⁻² . Выполнен анализ экспериментальных результатов в рамках существующих теорий слабой локализации. Получено хорошее согласие теории с экспериментом при достаточно большой концентрации примеси. Обсуждаются причины отклонения при малых концентрациях. Досліджено польові залежності низькотемпературного (Т = 4,2 К) латерального магнетоопору гетероструктур з квантовими ямами і селективним леґуванням в області ям. Концентрація домішки у квантових ямах змінювалась у діапазоні (1–7)∙10¹¹ см⁻². Виконано аналіз експериментальних результатів у межах наявних теорій слабкої локалізації. Одержано добре узгодження теорії з експериментом при достатньо великій концентрації домішки. Обговорено причини відхилення за малих концентрацій. The field dependence of the low-temperature (T = 4.2 K) lateral magnetoresistance of quantum wells with selective doping in the wells is studied. The concentration of impurities within the quantum wells is changed in the range of (1–7)∙10¹¹ cm⁻². The analysis of experimental results within the scope of the available theories of weak localization is carried out. A good agreement between theory and experiment at a sufficiently high concentration of impurities is obtained. The reasons for the disagreement at low concentrations are discussed. 2014 Article Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами / В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 19-28. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 72.20.Fr,72.80.Ey,73.21.Fg,73.50.Dn,73.63.Hs,75.47.Pq,81.07.St http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75945 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Исследованы полевые зависимости низкотемпературного (Т = 4,2 К) латерального магнитосопротивления гетероструктур с квантовыми ямами и селективным легированием в области ям. Концентрация примеси в квантовых ямах изменялась в пределах (1–7)∙10¹¹ см⁻² . Выполнен анализ экспериментальных результатов в рамках существующих теорий слабой локализации. Получено хорошее согласие теории с экспериментом при достаточно большой концентрации примеси. Обсуждаются причины отклонения при малых концентрациях.
format Article
author Вайнберг, В.В.
Пилипчук, А.С.
Порошин В.Н.
spellingShingle Вайнберг, В.В.
Пилипчук, А.С.
Порошин В.Н.
Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
author_facet Вайнберг, В.В.
Пилипчук, А.С.
Порошин В.Н.
author_sort Вайнберг, В.В.
title Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами
title_short Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами
title_full Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами
title_fullStr Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами
title_full_unstemmed Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами
title_sort особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate 2014
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75945
citation_txt Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами / В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 19-28. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
series Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
work_keys_str_mv AT vajnbergvv osobennostimagnitotransportavgeterostrukturahsselektivnolegirovannymikvantovymiâmami
AT pilipčukas osobennostimagnitotransportavgeterostrukturahsselektivnolegirovannymikvantovymiâmami
AT porošinvn osobennostimagnitotransportavgeterostrukturahsselektivnolegirovannymikvantovymiâmami
first_indexed 2023-10-18T19:10:46Z
last_indexed 2023-10-18T19:10:46Z
_version_ 1796146214675152896