Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами
Исследованы полевые зависимости низкотемпературного (Т = 4,2 К) латерального магнитосопротивления гетероструктур с квантовыми ямами и селективным легированием в области ям. Концентрация примеси в квантовых ямах изменялась в пределах (1–7)∙10¹¹ см⁻² . Выполнен анализ экспериментальных результатов в р...
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2014
|
Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75945 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами / В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 19-28. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-75945 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-759452016-10-14T13:11:57Z Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами Вайнберг, В.В. Пилипчук, А.С. Порошин В.Н. Исследованы полевые зависимости низкотемпературного (Т = 4,2 К) латерального магнитосопротивления гетероструктур с квантовыми ямами и селективным легированием в области ям. Концентрация примеси в квантовых ямах изменялась в пределах (1–7)∙10¹¹ см⁻² . Выполнен анализ экспериментальных результатов в рамках существующих теорий слабой локализации. Получено хорошее согласие теории с экспериментом при достаточно большой концентрации примеси. Обсуждаются причины отклонения при малых концентрациях. Досліджено польові залежності низькотемпературного (Т = 4,2 К) латерального магнетоопору гетероструктур з квантовими ямами і селективним леґуванням в області ям. Концентрація домішки у квантових ямах змінювалась у діапазоні (1–7)∙10¹¹ см⁻². Виконано аналіз експериментальних результатів у межах наявних теорій слабкої локалізації. Одержано добре узгодження теорії з експериментом при достатньо великій концентрації домішки. Обговорено причини відхилення за малих концентрацій. The field dependence of the low-temperature (T = 4.2 K) lateral magnetoresistance of quantum wells with selective doping in the wells is studied. The concentration of impurities within the quantum wells is changed in the range of (1–7)∙10¹¹ cm⁻². The analysis of experimental results within the scope of the available theories of weak localization is carried out. A good agreement between theory and experiment at a sufficiently high concentration of impurities is obtained. The reasons for the disagreement at low concentrations are discussed. 2014 Article Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами / В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 19-28. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 72.20.Fr,72.80.Ey,73.21.Fg,73.50.Dn,73.63.Hs,75.47.Pq,81.07.St http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75945 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
description |
Исследованы полевые зависимости низкотемпературного (Т = 4,2 К) латерального магнитосопротивления гетероструктур с квантовыми ямами и селективным легированием в области ям. Концентрация примеси в квантовых ямах изменялась в пределах (1–7)∙10¹¹ см⁻² . Выполнен анализ экспериментальных результатов в рамках существующих теорий слабой локализации. Получено хорошее согласие теории с экспериментом при достаточно большой концентрации примеси. Обсуждаются причины отклонения при малых концентрациях. |
format |
Article |
author |
Вайнберг, В.В. Пилипчук, А.С. Порошин В.Н. |
spellingShingle |
Вайнберг, В.В. Пилипчук, А.С. Порошин В.Н. Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
author_facet |
Вайнберг, В.В. Пилипчук, А.С. Порошин В.Н. |
author_sort |
Вайнберг, В.В. |
title |
Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами |
title_short |
Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами |
title_full |
Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами |
title_fullStr |
Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами |
title_full_unstemmed |
Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами |
title_sort |
особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами |
publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
publishDate |
2014 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75945 |
citation_txt |
Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах
с селективно легированными квантовыми ямами / В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 19-28. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
series |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
work_keys_str_mv |
AT vajnbergvv osobennostimagnitotransportavgeterostrukturahsselektivnolegirovannymikvantovymiâmami AT pilipčukas osobennostimagnitotransportavgeterostrukturahsselektivnolegirovannymikvantovymiâmami AT porošinvn osobennostimagnitotransportavgeterostrukturahsselektivnolegirovannymikvantovymiâmami |
first_indexed |
2023-10-18T19:10:46Z |
last_indexed |
2023-10-18T19:10:46Z |
_version_ |
1796146214675152896 |