Новая СТМ/СТС-методика исследования атомарной структуры поверхности

Представлена новая методика исследования атомарной структуры поверхности на основе методов сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и сканирующей туннельной спектроскопии (СТС) с алмазным зондом. В основу методики положена идея сравнения СТМ-изображения изучаемого участка поверхности и его СТС-изоб...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Грушко, В., Новиков, Н., Чайка, А., Мицкевич, Е., Лысенко, О.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
Назва видання:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75952
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Новая СТМ/СТС-методика исследования атомарной структуры поверхности / В. Грушко, Н. Новиков, А. Чайка, Е. Мицкевич, О. Лысенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 81-90. — Бібліогр.: 34 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-75952
record_format dspace
spelling irk-123456789-759522015-02-07T03:01:19Z Новая СТМ/СТС-методика исследования атомарной структуры поверхности Грушко, В. Новиков, Н. Чайка, А. Мицкевич, Е. Лысенко, О. Представлена новая методика исследования атомарной структуры поверхности на основе методов сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и сканирующей туннельной спектроскопии (СТС) с алмазным зондом. В основу методики положена идея сравнения СТМ-изображения изучаемого участка поверхности и его СТС-изображения, полученного при малых туннельных напряжениях. Представленная методика может использоваться при нанотехнологических операциях атомарной сборки логических элементов квантовых компьютеров, элементов наноэлектроники, при создании и изучении однофотонных источников и др. Наведено нову методику дослідження атомарної структури поверхні на основі методів сканівної тунельної мікроскопії (СТМ) і сканівної тунельної спектроскопії (СТС) з діамантовим зондом. В основу методики покладено ідею порівняння СТМ-зображення досліджуваної ділянки поверхні з її СТС-зображенням, одержаним за малих тунельних напруг. Наведена методика може використовуватися при нанотехнологічних операціях атомарного складання логічних елементів квантових комп’ютерів, елементів наноелектроніки, при створенні й вивченні однофотонних джерел тощо. A new technique to study the atomic structure of the surface on the basis of scanning tunnelling microscopy (STM) and scanning tunnelling spectroscopy (STS) with a diamond tip is represented. The technique is based on the idea of comparing STM images of the studied surface area with its STS-image obtained at low tunnelling voltages. The presented method can be used for fabrication of logic elements of quantum computers and elements of nanoelectron- ics, for development and study of the single-photon sources as well as for other nanotechnological operations. 2014 Article Новая СТМ/СТС-методика исследования атомарной структуры поверхности / В. Грушко, Н. Новиков, А. Чайка, Е. Мицкевич, О. Лысенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 81-90. — Бібліогр.: 34 назв. — рос. 1816-5230 PACSnumbers:07.35.+k,07.79.-Cz,68.37.Ef,73.40.Gk,73.63.Rt,81.05.uj,81.07.Lk http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75952 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Представлена новая методика исследования атомарной структуры поверхности на основе методов сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и сканирующей туннельной спектроскопии (СТС) с алмазным зондом. В основу методики положена идея сравнения СТМ-изображения изучаемого участка поверхности и его СТС-изображения, полученного при малых туннельных напряжениях. Представленная методика может использоваться при нанотехнологических операциях атомарной сборки логических элементов квантовых компьютеров, элементов наноэлектроники, при создании и изучении однофотонных источников и др.
format Article
author Грушко, В.
Новиков, Н.
Чайка, А.
Мицкевич, Е.
Лысенко, О.
spellingShingle Грушко, В.
Новиков, Н.
Чайка, А.
Мицкевич, Е.
Лысенко, О.
Новая СТМ/СТС-методика исследования атомарной структуры поверхности
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
author_facet Грушко, В.
Новиков, Н.
Чайка, А.
Мицкевич, Е.
Лысенко, О.
author_sort Грушко, В.
title Новая СТМ/СТС-методика исследования атомарной структуры поверхности
title_short Новая СТМ/СТС-методика исследования атомарной структуры поверхности
title_full Новая СТМ/СТС-методика исследования атомарной структуры поверхности
title_fullStr Новая СТМ/СТС-методика исследования атомарной структуры поверхности
title_full_unstemmed Новая СТМ/СТС-методика исследования атомарной структуры поверхности
title_sort новая стм/стс-методика исследования атомарной структуры поверхности
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate 2014
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75952
citation_txt Новая СТМ/СТС-методика исследования атомарной структуры поверхности / В. Грушко, Н. Новиков, А. Чайка, Е. Мицкевич, О. Лысенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2014. — Т. 12, № 1. — С. 81-90. — Бібліогр.: 34 назв. — рос.
series Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
work_keys_str_mv AT gruškov novaâstmstsmetodikaissledovaniâatomarnojstrukturypoverhnosti
AT novikovn novaâstmstsmetodikaissledovaniâatomarnojstrukturypoverhnosti
AT čajkaa novaâstmstsmetodikaissledovaniâatomarnojstrukturypoverhnosti
AT mickeviče novaâstmstsmetodikaissledovaniâatomarnojstrukturypoverhnosti
AT lysenkoo novaâstmstsmetodikaissledovaniâatomarnojstrukturypoverhnosti
first_indexed 2023-10-18T19:10:47Z
last_indexed 2023-10-18T19:10:47Z
_version_ 1796146215426981888