Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами

Проанализированы результаты теоретических и экспериментальных исследований межзонного поглощения света полупроводниковыми нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью нанокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в нанокристалле в коротковолно...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Шпак, А.П., Покутний, С.И., Смынтына, В.А., Уваров, В.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Назва видання:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76017
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами / А.П.Шпак, С.И. Покутний, В.А. Смынтына, В.Н. Уваров // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 83-95. — Бібліогр.: 44 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-76017
record_format dspace
spelling irk-123456789-760172015-10-28T12:12:30Z Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами Шпак, А.П. Покутний, С.И. Смынтына, В.А. Уваров, В.Н. Проанализированы результаты теоретических и экспериментальных исследований межзонного поглощения света полупроводниковыми нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью нанокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в нанокристалле в коротковолновую область. Установлено, что край поглощения нанокристаллов формируется двумя сравнимыми по интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования дырки на нижний уровень размерного квантования электрона. Проаналізовано результати теоретичних і експериментальних досліджень міжзонного вбирання світла напівпровідниковими нанокристалами. Показано, що врахування поляризаційної взаємодії електрона і дірки з поверхнею нанокристалу викликає зсув порогу вбирання в нанокристалі в короткохвильову область. Встановлено, що край вбирання нанокристалів формується двома порівнянними за інтенсивністю переходами з ріжних рівнів розмірного квантування дірки на нижній рівень розмірного квантування електрона. The results of theoretical and experimental investigations of interband light absorption in semiconductor nanocrystals are analyzed. As shown, the absorption edge in a nanocrystal is shifted to shorter wavelengths if the polarization interaction of an electron and a hole with the nanocrystal surface is taken into account. As revealed, the absorption edge for nanocrystals is formed by two transitions comparable by intensity. These transitions occurfrom different levels of size-related quantization for a hole to the lower level of size-related quantization for an electron. 2008 Article Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами / А.П.Шпак, С.И. Покутний, В.А. Смынтына, В.Н. Уваров // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 83-95. — Бібліогр.: 44 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 71.35.Cc,73.20.Mf, 78.66.Vs, 78.67.Bf, 78.67.Hc, 78.68.+m http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76017 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Проанализированы результаты теоретических и экспериментальных исследований межзонного поглощения света полупроводниковыми нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью нанокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в нанокристалле в коротковолновую область. Установлено, что край поглощения нанокристаллов формируется двумя сравнимыми по интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования дырки на нижний уровень размерного квантования электрона.
format Article
author Шпак, А.П.
Покутний, С.И.
Смынтына, В.А.
Уваров, В.Н.
spellingShingle Шпак, А.П.
Покутний, С.И.
Смынтына, В.А.
Уваров, В.Н.
Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
author_facet Шпак, А.П.
Покутний, С.И.
Смынтына, В.А.
Уваров, В.Н.
author_sort Шпак, А.П.
title Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами
title_short Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами
title_full Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами
title_fullStr Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами
title_full_unstemmed Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами
title_sort межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate 2008
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76017
citation_txt Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами / А.П.Шпак, С.И. Покутний, В.А. Смынтына, В.Н. Уваров // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 83-95. — Бібліогр.: 44 назв. — рос.
series Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
work_keys_str_mv AT špakap mežzonnoepogloŝeniesvetapoluprovodnikovyminanokristallami
AT pokutnijsi mežzonnoepogloŝeniesvetapoluprovodnikovyminanokristallami
AT smyntynava mežzonnoepogloŝeniesvetapoluprovodnikovyminanokristallami
AT uvarovvn mežzonnoepogloŝeniesvetapoluprovodnikovyminanokristallami
first_indexed 2023-10-18T19:10:53Z
last_indexed 2023-10-18T19:10:53Z
_version_ 1796146220545081344